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1. WO2012157198 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/157198
Date de publication 22.11.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2012/002969
Date du dépôt international 02.05.2012
CIB
H01L 33/32 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya (UsOnly)
  • 岩永 順子 IWANAGA, Junko (UsOnly)
  • 井上 彰 INOUE, Akira (UsOnly)
Inventeurs
  • 横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya
  • 岩永 順子 IWANAGA, Junko
  • 井上 彰 INOUE, Akira
Mandataires
  • 奥田 誠司 OKUDA, Seiji
Données relatives à la priorité
2011-11111018.05.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé
(EN) A nitride semiconductor light-emitting element of the present invention comprises a semiconductor lamination structure where a growth plane is m-plane and is formed from a GaN semiconductor. The semiconductor lamination structure comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a p-side electrode provided on the p-type semiconductor layer and an active layer located between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The ratio (D) of the thickness of the active layer to the thickness of the n-type semiconductor layer is 1.8x10-4≤D≤14.1x10-4. The area (S) of the p-side electrode is 1x102μm2≤S≤9x104μm2. The maximum current density from which external quantum efficiency gives 88% of the maximum value is 2A/mm2 or more.
(FR) La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur nitrure comprenant une structure de stratification de semi-conducteur dans laquelle un plan de croissance est un plan m composé d'un semi-conducteur GaN. La structure de stratification de semi-conducteur comprend une couche de semi-conducteur du type n, une couche de semi-conducteur du type p, une électrode côté p disposée sur la couche de semi-conducteur du type p et une couche active située entre la couche de semi-conducteur du type n et la couche de semi-conducteur du type p. Le rapport (D) entre l'épaisseur de la couche active et l'épaisseur de la couche de semi-conducteur du type n est 1,8x10-4≤D≤14,1x10-4. La superficie (S) de l'électrode côté p est 1x102μm2≤S≤9x104μm2. La densité de courant maximale à partir de laquelle l'efficacité quantique externe produit 88 % de la valeur maximale est supérieure ou égale à 2A/mm2.
(JA)  実施形態の窒化物系半導体発光素子は、成長面がm面であってGaN系半導体から形成されている半導体積層構造を備える。半導体積層構造は、n型半導体層と、p型半導体層と、前記p型半導体層上に設けられたp側電極と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に位置する活性層とを備える。n型半導体層の厚さに対する活性層の厚さの比Dが1.8×10-4≦D≦14.1×10-4であり、p側電極の面積Sが1×102μm2≦S≦9×104μm2であり、外部量子効率が最大時の88%になる最大電流密度が2A/mm2以上である。
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