(EN) A power amplification tube and a power amplification method. The power amplification tube includes a high voltage hetero-junction bipolar transistor (HVHBT) power amplification tube core and a high electron mobility transistor (HEMT) power amplification tube core which are integrated into the same encapsulation. The power amplification tube is applied to a Doherty amplifier. The power amplification tube is designed using a revolutionary completely new way of assembling power amplification tube cores, and compared with the existing Doherty amplifiers which use laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) amplification tube cores throughout, it can realize high-efficiency power amplification on the basis of ensuring a small power amplification tube volume.
(FR) L'invention concerne un tube amplificateur de puissance et un procédé d'amplification de puissance. Le tube amplificateur de puissance comprend un noyau de tube amplificateur de puissance à transistor bipolaire à hétérojonction pour haute tension (HVHBT) et un noyau de tube amplificateur de puissance à transistor à mobilité électronique élevée (HEMT) qui sont intégrés dans la même encapsulation. Le tube amplificateur de puissance est utilisé pour un amplificateur de Doherty. Le tube amplificateur de puissance est conçu à l'aide d'une méthode radicalement nouvelle d'assemblage de noyaux de tube amplificateur de puissance et, par rapport à des amplificateurs de Doherty existants qui utilisent seulement des noyaux de tube amplificateur à semi-conducteur métal-oxyde à diffusion latérale (LDMOS), il permet de réaliser une amplification de puissance de grande efficacité tout en assurant un faible volume du tube amplificateur de puissance.