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1. WO2012145373 - TROUS D'INTERCONNEXION DANS DES SUBSTRATS POREUX

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Numéro de publication WO/2012/145373
Date de publication 26.10.2012
N° de la demande internationale PCT/US2012/034038
Date du dépôt international 18.04.2012
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
CPC
H01L 21/486
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
486Via connections through the substrate with or without pins
H01L 21/76802
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
H01L 21/76837
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76837Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
H01L 21/76898
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76898formed through a semiconductor substrate
H01L 23/147
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
147Semiconductor insulating substrates
Déposants
  • TESSERA, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • MOHAMMED, Ilyas [US]/[US] (UsOnly)
  • HABA, Belgacem [US]/[US] (UsOnly)
  • UZOH, Cyprian [US]/[US] (UsOnly)
  • SAVALIA, Piyush [IN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • MOHAMMED, Ilyas
  • HABA, Belgacem
  • UZOH, Cyprian
  • SAVALIA, Piyush
Mandataires
  • KARLIN, Joseph, H.
Données relatives à la priorité
13/092,49522.04.2011US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) VIAS IN POROUS SUBSTRATES
(FR) TROUS D'INTERCONNEXION DANS DES SUBSTRATS POREUX
front page image
Abrégé
(EN)
A microelectronic unit (10) can include a substrate (20) having front and rear surfaces (22,) (21) and active semiconductor devices therein, the substrate having a plurality of (openings 12) arranged in a symmetric or asymmetric distribution across an area of the rear surface, first and second conductive vias (50) connected to first and second pads (24) exposed at the front surface, and pluralities of first and second conductive interconnects (40) extending within respective ones of the openings. The plurality of first conductive interconnects (40) can be separated from the plurality of second conductive interconnects (40) by at least one of the openings (12), the at least one opening at least partially filled with an insulating material (70). The distribution of the openings (12) can include at least m openings spaced apart in a first direction D1 and n openings spaced apart in a second direction D2 transverse to the first direction.
(FR)
Une unité microélectronique (10) selon l'invention peut comprendre un substrat (20) ayant des surfaces avant et arrière (22, 21) et des dispositifs semi-conducteurs actifs à l'intérieur. Le substrat comporte une pluralité d'ouvertures (12) formant une distribution symétrique ou asymétrique sur une zone de la surface arrière, des premiers et des deuxièmes trous d'interconnexion conducteurs (50) reliés à des premiers et des deuxièmes plots (24) exposés sur la surface avant, et des pluralités de premières et deuxièmes interconnexions conductrices (40) s'étendant à l'intérieur d'ouvertures respectives. La pluralité de premières interconnexions conductrices (40) peut être séparée de la pluralité de deuxièmes interconnexions conductrices (40) par l'une au moins des ouvertures (12), ladite ou lesdites ouvertures étant au moins partiellement remplies d'un matériau isolant (70). La distribution des ouvertures (12) peut comporter au moins m ouvertures espacées dans une première direction D1 et n ouvertures espacées dans une deuxième direction D2 perpendiculaire à la première direction.
Également publié en tant que
US20120267789
CN106206424
EP2700092
CN103608913
KR1020140026521
JP2014512692
US20150140807
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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