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1. WO2012144735 - NOUVEAU COPOLYMÈRE DIBLOCS, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN NANOMOTIF À L'AIDE DE CELUI-CI

Numéro de publication WO/2012/144735
Date de publication 26.10.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2012/001927
Date du dépôt international 16.03.2012
CIB
C08F 297/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
297Composés macromoléculaires obtenus en polymérisant successivement des systèmes différents de monomère utilisant un catalyseur de type ionique ou du type de coordination sans désactivation du polymère intermédiaire
C08F 220/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
C08F 220/54 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
52Amides ou imides
54Amides
G03F 7/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
C08J 5/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
JMISE EN ŒUVRE; PROCÉDÉS GÉNÉRAUX POUR FORMER DES MÉLANGES; POST-TRAITEMENT NON COUVERT PAR LES SOUS-CLASSES C08B, C08C, C08F, C08G ou C08H149
5Fabrication d'objets ou de matériaux façonnés contenant des substances macromoléculaires
18Fabrication de bandes ou de feuilles
CPC
B81C 1/00396
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00388Etch mask forming
00396Mask characterised by its composition, e.g. multilayer masks
B81C 2201/0149
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0147Film patterning
0149Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
B81C 2201/0198
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0198for making a masking layer
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C08F 22/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
22Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof
36Amides or imides
38Amides
Déposants
  • LG CHEM, LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • HAN, Yang-Kyoo [KR]/[KR] (UsOnly)
  • LEE, Je-Gwon [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Su-Hwa [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • HAN, Yang-Kyoo
  • LEE, Je-Gwon
  • KIM, Su-Hwa
Mandataires
  • YOU ME PATENT AND LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2011-003802922.04.2011KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NOVEL DIBLOCK COPOLYMER, PREPARATION METHOD THEREOF, AND METHOD OF FORMING NANO PATTERN USING THE SAME
(FR) NOUVEAU COPOLYMÈRE DIBLOCS, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN NANOMOTIF À L'AIDE DE CELUI-CI
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a diblock copolymer that may facilitate formation of a finer nano pattern, and be used for manufacture of an electronic device including a nano pattern or a bio sensor, and the like, a method for preparing the same, and a method for forming a nano pattern using the same, The diblock copolymer comprises a hard segment including at least one specific acrylamide-based repeat unit, and a soft segment including at least one (meth)acrylate-based repeat unit.
(FR)
La présente invention concerne un copolymère diblocs qui peut faciliter la formation d'un nanomotif plus fin et être utilisé pour la fabrication d'un dispositif électronique comprenant un nanomotif ou un biocapteur et similaires. L'invention conerne également un procédé de préparation de ce copolymère, et un procédé de formation d'un nanomotif à l'aide de celui-ci. Le copolymère diblocs comprend un segment dur comprenant au moins une unité de répétition à base d'acrylamide spécifique et un segment mou comprenant au moins une unité de répétition à base de (méth)acrylate.
Également publié en tant que
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