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1. WO2012132803 - DISPOSITIF SOURCE DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLET EXTRÊME

Numéro de publication WO/2012/132803
Date de publication 04.10.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2012/055798
Date du dépôt international 07.03.2012
CIB
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H05G 2/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
GTECHNIQUE DES RAYONS X
2Appareils ou procédés spécialement adaptés à la production de rayons X, n'utilisant pas de tubes à rayons X, p.ex. utilisant la génération d'un plasma
CPC
G03F 7/70033
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70008Production of exposure light, i.e. light sources
70033by plasma EUV sources
G03F 7/70916
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution, removing pollutants from apparatus; electromagnetic and electrostatic-charge pollution
70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
G21K 1/04
GPHYSICS
21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
1Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
02using diaphragms, collimators
04using variable diaphragms, shutters, choppers
H05G 2/003
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GX-RAY TECHNIQUE
2Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
001X-ray radiation generated from plasma
003being produced from a liquid or gas
H05G 2/008
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GX-RAY TECHNIQUE
2Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
001X-ray radiation generated from plasma
008involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Déposants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 佐藤 弘人 SATO Hiroto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 薮田 泰伸 YABUTA Hironobu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 佐藤 弘人 SATO Hiroto
  • 薮田 泰伸 YABUTA Hironobu
Mandataires
  • 長澤俊一郎 NAGASAWA Shunichirou
Données relatives à la priorité
2011-07510130.03.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EXTREME ULTRA VIOLET LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF SOURCE DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLET EXTRÊME
(JA) 極端紫外光光源装置
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to prevent a contaminated material from discharging from the light emitting port of an extreme ultra violet light source device toward an exposure device. EUV light radiated from high-temperature plasma (P) is collected onto a focal point (f) via an EUV condenser (6), then emitted from an EUV light emitting port (7) and irradiated onto an exposure device (30). A rotary wing (propeller) (8), which is rotated by a motor (9) so as to cross the optical axis of the EUV light is arranged between the condenser (6) and the light emitting port (7), and the rotary shaft (9a) is arranged outside the light path of the extreme ultra violet light. The rotary wing (8) is driven to pass between the condenser (6) and the light emitting port (7) when the extreme ultra violet light is not emitted. When the extreme ultraviolet light is not emitted, the rotary wing substantially covers the light emitting port (7), and the contaminated material moving toward the light emitting port collides with the rotary wing which changes the direction thereof and thereby suppressing the discharge of the contaminated material.
(FR)
Le but de la présente invention est d'empêcher un matériau contaminé de s'échapper par l'orifice d'émission de lumière d'un dispositif source de rayonnement ultraviolet extrême (EUV) vers un dispositif d'exposition. Le rayonnement EUV émis par un plasma à haute température (P) est collecté sur un point focal (f) par un condenseur EUV (6), puis émis depuis un orifice d'émission de rayonnement EUV (7) pour irradier un dispositif d'exposition (30). Une aile rotative (propulseur) (8), qui tourne au moyen d'un moteur (9) de manière à croiser l'axe optique du rayonnement EUV, est disposée entre le condenseur (6) et l'orifice d'émission de lumière (7), et l'arbre de rotation (9a) est positionné à l'extérieur du chemin lumineux du rayonnement ultraviolet extrême. L'aile rotative (8) est commandée pour passer entre le condenseur (6) et l'orifice d'émission de lumière (7) quand le rayonnement ultraviolet extrême n'est pas émis. Dans ce cas, l'aile rotative recouvre sensiblement l'orifice d'émission de lumière (7), et le matériau contaminé se déplaçant vers l'orifice d'émission de lumière entre en collision avec l'aile rotative qui modifie sa direction et empêche ainsi la sortie du matériau contaminé.
(JA)
 極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出するのを防ぐ。高温プラズマPから放射されたEUV光は、EUV集光鏡6により集光点fに集められ、EUV光出射口7から出射し、露光機30に入射する。集光鏡6と光出射口7の間に、モータ9によりEUV光の光軸と交差するように回転する回転翼(プロペラ)8が配置され、その回転軸9aは極端紫外光の光路外に配置される。極端紫外光が発光していないとき、回転翼8を集光鏡6と光出射口7の間を通過させる。極端紫外光が発光していないとき光出射口7が回転翼によって実質的に遮蔽され、また、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
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