(EN) A production method for forming an organic transistor on a substrate, wherein a simple and high-quality organic transistor element is obtained by manufacturing the organic transistor through steps comprising: a step for forming a gate electrode and a source/drain wiring on a substrate; a step for forming a gate insulating film on the gate electrode; a step for forming a photosensitive high-concentration carrier film on the gate insulating film; a step for using the gate insulating film as a mask and photosensitizing the photosensitive high-concentration carrier film to thereby form a high-concentration carrier film wiring in contact with the source/drain wiring; and a step for disposing an organic semiconductor film in gaps in the high-concentration carrier film wiring.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication pour former un transistor organique sur un substrat, un élément transistor organique simple et de haute qualité étant obtenu en fabriquant le transistor organique grâce à des étapes qui comprennent : une étape pour former une électrode porte et un câble source/drain sur un substrat ; une étape pour former un film isolant de porte sur l'électrode porte ; une étape pour former un film porteur à haute concentration photosensible sur le film isolant de porte ; une étape pour utiliser le film isolant de porte en tant que masque et photosensibiliser le film porteur à haute concentration photosensible pour ainsi former un câblage de film porteur à haute concentration en contact avec le câble source/drain ; et une étape pour disposer un film semi-conducteur organique dans des espaces dans le câblage de film porteur à haute concentration.
(JA) 基板上に有機トランジスタを形成する製造方法において、基板上にゲート電極及びソース・ドレイン配線を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に感光性を有する高濃度キャリア膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜をマスクとして感光性を有する高濃度キャリア膜を感光させることにより前記ソース・ドレイン配線と接する高濃度キャリア膜配線を形成する工程と、前記高濃度キャリア膜配線間隙に有機半導体膜を配置する工程と、を含む工程により有機トランジスタを作製することにより、簡便且つ高品位の有機トランジスタ素子を得る。