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1. WO2012130875 - PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR FORMER UNE SAILLIE EN LIGNE DROITE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2012/130875
Date de publication 04.10.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2012/055501
Date du dépôt international 28.03.2012
CIB
H01L 21/268 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
G02B 17/06 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
17Systèmes avec surfaces réfléchissantes, avec ou sans éléments de réfraction
02Systèmes catoptriques, p.ex. systèmes redressant et renversant une image
06utilisant uniquement des miroirs
B23K 26/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
B23K 26/073 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
02Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
06Mise en forme du faisceau laser, p.ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
073Détermination de la configuration du spot laser
CPC
B23K 2103/56
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
56semiconducting
B23K 26/0006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
0006taking account of the properties of the material involved
B23K 26/354
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
352for surface treatment
354by melting
G02B 19/0023
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
19Condensers, ; e.g. light collectors or similar non-imaging optics
0004characterised by the optical means employed
0019having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors)
0023at least one surface having optical power
G02B 19/0028
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
19Condensers, ; e.g. light collectors or similar non-imaging optics
0004characterised by the optical means employed
0028refractive and reflective surfaces, e.g. non-imaging catadioptric systems
G02B 19/0047
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
19Condensers, ; e.g. light collectors or similar non-imaging optics
0033characterised by the use
0047for use with a light source
Déposants
  • EXCICO FRANCE [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • GODART, Bruno [FR]/[FR] (UsOnly)
  • MIGOZZI, Jean-Blaise [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • GODART, Bruno
  • MIGOZZI, Jean-Blaise
Mandataires
  • BiiP cvba
Données relatives à la priorité
11290155.828.03.2011EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A STRAIGHT LINE PROJECTION ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR FORMER UNE SAILLIE EN LIGNE DROITE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
The present invention relates to an apparatus for irradiating a semiconductor comprising a curved mirror with a reflective surface of revolution, and a point source generating an irradiation beam being incident on the curved mirror along an incident direction, characterized in that the curved mirror and the point source form a system having an axis of revolution wherein the point source is provided on or near said axis of revolution, and that said axis of revolution substantially coincides with a straight line projection to be generated on a semiconductor substrate. Additionally, the present invention relates to the use of such apparatus for manufacturing a selective emitter grid, or for irradiating a large area semiconductor surface in a scanning movement.
(FR)
La présente invention porte sur un appareil pour irradier un semi-conducteur, lequel appareil comprend un miroir incurvé comportant une surface de révolution réfléchissante, et une source ponctuelle générant un faisceau d'irradiation qui est incident sur le miroir incurvé le long d'une direction d'incidence, et est caractérisé en ce que le miroir incurvé et la source ponctuelle forment un système comprenant un axe de révolution dans lequel la source ponctuelle est disposée sur ledit axe de révolution ou au voisinage de celui-ci, et en ce que ledit axe de révolution coïncide sensiblement avec une saillie en ligne droite à générer sur un substrat semi-conducteur. La présente invention porte également sur l'utilisation d'un tel appareil pour la fabrication d'une grille d'émetteur sélective, ou pour l'irradiation d'une surface de semi-conducteur de grande superficie dans un mouvement de balayage.
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