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1. WO2012047697 - EMPILEMENTS OXYDE-NITRURE ET OXYDE-SILICIUM DÉPOSÉS PAR PECVD POUR APPLICATIONS DE MÉMOIRE 3D

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Numéro de publication WO/2012/047697
Date de publication 12.04.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/053730
Date du dépôt international 28.09.2011
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/0217
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
0217the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
H01L 21/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
022the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
H01L 21/02274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
02274in the presence of a plasma [PECVD]
H01L 21/0234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
0234treatment by exposure to a plasma
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • RAJAGOPALAN, Nagarajan [IN]/[US] (UsOnly)
  • HAN, Xinhai [CN]/[US] (UsOnly)
  • PARK, J, Ae [KR]/[US] (UsOnly)
  • KIYOHARA, Tsutomu [JP]/[US] (UsOnly)
  • PARK, Sohyun [KR]/[US] (UsOnly)
  • KIM, Bok, Hoen [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • RAJAGOPALAN, Nagarajan
  • HAN, Xinhai
  • PARK, J, Ae
  • KIYOHARA, Tsutomu
  • PARK, Sohyun
  • KIM, Bok, Hoen
Mandataires
  • DERGOSITS, Michael, E.
Données relatives à la priorité
12/899,40106.10.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PECVD OXIDE-NITRIDE AND OXIDE-SILICON STACKS FOR 3D MEMORY APPLICATION
(FR) EMPILEMENTS OXYDE-NITRURE ET OXYDE-SILICIUM DÉPOSÉS PAR PECVD POUR APPLICATIONS DE MÉMOIRE 3D
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Abrégé
(EN)
A layer stack of different materials is deposited on a substrate in a single plasma enhanced chemical vapor deposition processing chamber while maintaining a vacuum. A substrate is placed in the processing chamber and a first processing gas is used to form a first layer of a first material on the substrate. A plasma purge and gas purge are performed before a second processing gas is used to form a second layer of a second material on the substrate. The plasma purge and gas purge are repeated and the additional layers of first and second materials are deposited on the layer stack.
(FR)
Selon l'invention, un empilement de couches de différents matériaux est déposé sur un substrat dans une seule et même chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) tout en y faisant le vide. Un substrat est placé dans la chambre de traitement et un premier gaz de traitement est utilisé pour former une première couche d'un premier matériau sur le substrat. Une purge de plasma et une purge de gaz sont effectuées, puis un deuxième gaz de traitement est utilisé pour former une deuxième couche d'un deuxième matériau sur le substrat. La purge du plasma et la purge du gaz sont renouvelées, et des couches supplémentaires du premier et du deuxième matériau sont déposées sur l'empilement de couches.
Également publié en tant que
CN103109352
JP2013546169
KR1020130129930
US08076250
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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