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1. WO2012046639 - LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET MODULE OPTIQUE ÉQUIPÉ DUDIT LASER, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE, ET SYSTÈME DE COMMUNICATION OPTIQUE

Numéro de publication WO/2012/046639
Date de publication 12.04.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/072501
Date du dépôt international 30.09.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.02.2012
CIB
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
CPC
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
H01S 5/1231
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
1231Grating growth or overgrowth details
H01S 5/2009
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
2009by using electron barrier layers
Déposants
  • 株式会社QDレーザ QD LASER, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 影山健生 KAGEYAMA, Takeo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西研一 NISHI, Kenichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 影山健生 KAGEYAMA, Takeo
  • 西研一 NISHI, Kenichi
Mandataires
  • 片山修平 KATAYAMA, Shuhei
Données relatives à la priorité
2010-22883908.10.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LASER AND OPTICAL MODULE PROVIDED WITH SAME, OPTICAL COMMUNICATION DEVICE, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET MODULE OPTIQUE ÉQUIPÉ DUDIT LASER, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE, ET SYSTÈME DE COMMUNICATION OPTIQUE
(JA) 半導体レーザ及びその半導体レーザを備える光モジュール、光通信装置、光通信システム
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a semiconductor laser comprising: an active layer (18) having a band gap energy less than the band gap energy of GaAs in at least a portion thereof, the active layer (18) being provided on a substrate (10); GaAs layers (a GaAs waveguide layer (20) and a diffraction grating layer (22)) provided on the active layer (18) as waveguides for propagating light which oscillates from the active layer (18); a diffraction grating (26) provided to the upper surface of the diffraction grating layer (22); an embedding layer (24) provided so as to embed the diffraction grating (26); and a carrier stop layer (34) for suppressing carrier overflow from the active layer (18) to the boundary of the diffraction grating layer (22) and the embedding layer (24), the carrier stop layer (34) being provided between the active layer (18) and the diffraction grating (26).
(FR)
La présente invention concerne un laser à semi-conducteurs comprenant : une couche active (18), présentant une énergie de bande interdite inférieure à l'énergie de bande interdite du GaAs dans au moins une partie de celle-ci, la couche active (18) étant disposée sur un substrat (10) ; des couches de GaAs (une couche de guide d'onde de GaAs (20) et une couche de grille de diffraction (22)) disposées sur la couche active (18) en tant que guides d'onde pour la propagation de la lumière qui oscille depuis la couche active (18) ; une grille de diffraction (26), disposée sur la surface supérieure de la couche de grille de diffraction (22) ; une couche d'incorporation (24), disposée de façon à incorporer la grille de diffraction (26) ; et une couche d'arrêt de porteur (34), destinée à la suppression du trop-plein de porteur depuis la couche active (18) jusqu'à la limite de la couche de grille de diffraction (22) et de la couche d'incorporation (24), la couche d'arrêt de porteur (34) étant disposée entre la couche active (18) et la grille de diffraction (26).
(JA)
 本発明は、基板10上に設けられ、GaAsのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層18と、活性層18上に設けられ、活性層18から発振される光を伝搬する導波路であるGaAs層(GaAs導波路層20及び回折格子層22)と、回折格子層22の上面に設けられた回折格子26と、回折格子26を埋め込むように設けられた埋め込み層24と、活性層18と回折格子26との間に設けられ、活性層18から回折格子層22と埋め込み層24との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層34と、を備える半導体レーザである。
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