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1. WO2012046233 - PROCÉDÉ DE REPÈRES GLOBAUX POUR LA RECONSTITUTION DE L'UNIFORMITÉ DE DIMENSIONS CRITIQUES

Numéro de publication WO/2012/046233
Date de publication 12.04.2012
N° de la demande internationale PCT/IL2011/000779
Date du dépôt international 05.10.2011
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70508
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70508Data handling, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. addressable masks
G03F 7/706
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
706Aberration measurement
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
G06F 30/398
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
39Circuit design at the physical level
398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
H01L 21/0273
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
Déposants
  • CARL ZEISS SMS LTD. [IL]/[IL] (AllExceptUS)
  • DMITRIEV, Vladimir [IL]/[IL] (UsOnly)
  • SHARONI, Ofir [IL]/[IL] (UsOnly)
Inventeurs
  • DMITRIEV, Vladimir
  • SHARONI, Ofir
Mandataires
  • SANFORD T. COLB & CO.
Données relatives à la priorité
61/390,75107.10.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GLOBAL LANDMARK METHOD FOR CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY RECONSTRUCTION
(FR) PROCÉDÉ DE REPÈRES GLOBAUX POUR LA RECONSTITUTION DE L'UNIFORMITÉ DE DIMENSIONS CRITIQUES
Abrégé
(EN)
Data associated with a substrate can be processed by measuring a property of at least a first type of specific features and a second type of specific features on a substrate. The first type of specific features is measured at a first plurality of locations on the substrate to generate a first group of measured values, and the second type of specific features is measured at a second plurality of locations on the substrate to generate a second group of measured values, in which the first and second groups of measured values are influenced by critical dimension variations of the substrate. A combined measurement function is defined based on combining the at least first and second groups of measured values. At least one group of measured values is transformed prior to combining with another group or other groups of measured values, in which the transformation is defined by a group of coefficients. Variations in the critical dimension across the substrate are determined based on the combined measurement function and a predetermined relationship between the measured values and the critical dimension.
(FR)
L'invention concerne un procédé qui permet de traiter des données associées à un substrat en mesurant une propriété d'au moins un premier type de détails spécifiques et un deuxième type de détails spécifiques sur un substrat. Le premier type de détails spécifiques est mesuré en une première pluralité d'emplacements sur le substrat pour générer un premier groupe de valeurs mesurées et le deuxième type de détails spécifiques est mesuré en une deuxième pluralité d'emplacements sur le substrat pour générer un deuxième groupe de valeurs mesurées, le premier et le deuxième groupe de valeurs mesurées étant influencés par des variations de dimensions critiques du substrat. Une fonction de mesure combinée est définie sur la base d'une combinaison d'au moins lesdits premier et deuxième groupes de valeurs mesurées. Au moins un groupe de valeurs mesurées est transformé avant d'être combiné avec un ou plusieurs autres groupes de valeurs mesurées, la transformation étant définie par un groupe de coefficients. Des variations de la dimension critique en travers du substrat sont déterminées sur la base de la fonction de mesure combinée et d'une relation prédéterminée entre les valeurs mesurées et la dimension critique.
Également publié en tant que
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