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1. WO2012044011 - BOÎTIER D'ENCAPSULATION SUR TRANCHE D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT BOÎTIER

Numéro de publication WO/2012/044011
Date de publication 05.04.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2011/007028
Date du dépôt international 23.09.2011
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
CPC
H01L 2224/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
H01L 24/97
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
93Batch processes
95at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
97the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
H01L 2924/01322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
013Alloys
0132Binary Alloys
01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
H01L 2924/12041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
1204Optical Diode
12041LED
H01L 2924/12042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
1204Optical Diode
12042LASER
H01L 2924/15787
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
151Die mounting substrate
156Material
15786with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Déposants
  • SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • SEO, Won Cheol [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • SEO, Won Cheol
Mandataires
  • LEEON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2010-009552830.09.2010KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WAFER LEVEL LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) BOÎTIER D'ENCAPSULATION SUR TRANCHE D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT BOÎTIER
Abrégé
(EN)
An exemplary embodiment of the present invention discloses a wafer level light emitting diode package that includes a first substrate having an insulating-reflecting layer and an electrode pattern arranged on a surface of the first substrate, and a conductive via, a terminal on which the first substrate is arranged, a second substrate arranged on the first substrate, the second substrate including a cavity-forming opening, the cavity-forming opening exposing the electrode pattern, and a light-emitting chip arranged on the electrode pattern. The light-emitting chip is a flip-bonded light-emitting structure without a chip substrate, and the conductive via electrically connects the electrode pattern and the terminal.
(FR)
Dans un mode de réalisation illustratif, la présente invention concerne un boîtier d'encapsulation sur tranche d'une diode électroluminescente comprenant un premier substrat présentant une couche isolante-réfléchissante et un motif d'électrode agencé sur une surface du premier substrat, un trou d'interconnexion conducteur, une borne sur laquelle est agencé le premier substrat, un second substrat agencé sur le premier substrat, le second substrat comprenant une ouverture formant une cavité et l'ouverture formant une cavité exposant le motif d'électrode, et une puce électroluminescente agencée sur le motif d'électrode. La puce électroluminescente est une structure électroluminescente montée en flip-chip sans substrat de puce, et le trou d'interconnexion conducteur connecte électriquement le motif d'électrode et la borne.
Également publié en tant que
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