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1. WO2012043334 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE

Numéro de publication WO/2012/043334
Date de publication 05.04.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/071474
Date du dépôt international 21.09.2011
CIB
H01L 21/338 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
338à grille Schottky
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/41 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/778 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
778avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812à grille Schottky
CPC
H01L 2224/4847
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
484Connecting portions
4847the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
H01L 2224/4903
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
4901Structure
4903Connectors having different sizes, e.g. different diameters
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 29/41758
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41758for lateral devices with structured layout for source or drain region, i.e. the source or drain region having cellular, interdigitated or ring structure or being curved or angular
H01L 29/7787
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
778with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
7786with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
7787with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 村石 桂一 MURAISHI, Keiichi (UsOnly)
  • トワイナム ジョン TWYNAM, John (UsOnly)
  • 吐田 真一 HANDA, Shinichi (UsOnly)
  • 松笠 治彦 MATSUKASA, Haruhiko (UsOnly)
Inventeurs
  • 村石 桂一 MURAISHI, Keiichi
  • トワイナム ジョン TWYNAM, John
  • 吐田 真一 HANDA, Shinichi
  • 松笠 治彦 MATSUKASA, Haruhiko
Mandataires
  • 田中 光雄 TANAKA, Mitsuo
Données relatives à la priorité
2010-22390801.10.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置
Abrégé
(EN)
In the present invention, in a region on an interlayer dielectric film corresponding to a region which includes a first linear base section (1a) of a first electrode (1) and the first linear base section (1a) side of a first comb-shaped electrode section (1b, 1c), a first electrode pad is formed (11) that is connected to the first electrode (1) through a via. In a region on an interlayer dielectric film corresponding to a region which includes the second linear base section (2a) side of a second comb-shaped electrode section (2b) of a second electrode (2), a second electrode pad (12) is formed that is connected to the second electrode (2) through a via. In a region on an interlayer dielectric film corresponding to a region which the third linear base section (3a) side of a third comb-shaped electrode section (3b) of a third electrode (3), a third electrode pad (13) is formed that is connected to the third electrode (3) through a via. Provided is a nitride semiconductor device in which ON resistance is lowered, large current is accommodated, and size reduction is possible.
(FR)
Dans la présente invention, dans une zone sur une couche diélectrique intermédiaire correspondant à une zone qui comprend une première section base linéaire (1a) d'une première électrode (1) et le côté coïncidant avec la première section base linéaire (1a) d'une première section d'électrode en forme de peigne (1b, 1c), une première pastille d'électrode (11) est formée et connectée à la première électrode (1) par l'intermédiaire d'un trou d'interconnexion. Dans une zone sur une couche diélectrique intermédiaire correspondant à une zone qui comprend le côté coïncidant avec la deuxième section base linéaire (2a) d'une deuxième section d'électrode en forme de peigne (2b) d'une deuxième électrode (2), une deuxième pastille d'électrode (12) est formée et connectée à la deuxième électrode (2) par l'intermédiaire d'un trou d'interconnexion. Dans une zone sur une couche diélectrique intermédiaire correspondant à une zone qui comprend le côté coïncidant avec la troisième section base linéaire (3a) d'une troisième section d'électrode en forme de peigne (3b) d'une troisième électrode (3), une troisième pastille d'électrode (13) est formée et connectée à la troisième électrode (3) par l'intermédiaire d'un trou d'interconnexion. La présente invention se rapporte donc à un dispositif à semi-conducteur au nitrure qui présente une résistance ON limitée, qui s'adapte à un courant de forte intensité et dont les dimensions peuvent être réduites.
(JA)
 第1の電極(1)の第1直線状基部(1a)および第1くし状電極部(1b,1c)の第1直線状基部(1a)側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に、第1の電極(1)にビアを介して接続された第1の電極パッド(11)を形成する。第2の電極(2)の第2くし状電極部(2b)の第2直線状基部(2a)側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に、第2の電極(2)にビアを介して接続された第2の電極パッド(12)を形成する。第3の電極(3)の第3くし状電極部(3b)の第3直線状基部(3a)側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に、第3の電極(3)にビアを介して接続された第3の電極パッド(13)を形成する。オン抵抗を低くして大電流に対応しつつ小型化が可能な窒化物半導体装置を提供する。
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