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1. WO2012042909 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/042909
Date de publication 05.04.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/005558
Date du dépôt international 30.09.2011
CIB
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 33/10 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
H01L 33/387
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
387with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
Déposants
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA Electronics Materials Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 豊田 達憲 TOYOTA, Tatsunori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 柴田 智彦 SHIBATA, Tomohiko [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 豊田 達憲 TOYOTA, Tatsunori
  • 柴田 智彦 SHIBATA, Tomohiko
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA, Kenji
Données relatives à la priorité
2010-22272830.09.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are: a III nitride semiconductor light-emitting element, in which both good ohmic contact between an electrode and a semiconductor layer and performing of the function of an reflecting electrode layer can be achieved satisfactorily at the same time and the luminous efficiency can be improved without increasing a forward voltage so much; and a process for manufacturing the III nitride semiconductor light-emitting element. This III nitride semiconductor light-emitting element (100) comprises: a III nitride semiconductor laminate (106) composed of an n-type semiconductor layer (103), a light-emitting layer (104) and a p-type semiconductor layer (105); an n-side electrode (112); and a p-side electrode (113). The III nitride semiconductor light-emitting element (100) is characterized in that a mixed layer (111) which is composed of a reflecting electrode section (109) and a contact section (110) comprising AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 0.05) is provided on a second surface (108) of the III nitride semiconductor laminate (106), wherein the second surface (108) is opposed to a first surface (107) that corresponds to the light-extracting side of the III nitride semiconductor laminate (106).
(FR)
L'invention porte sur : un élément électroluminescent à semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III, dans lequel à la fois un bon contact ohmique entre une électrode et une couche de semi-conducteur et le fait de remplir la fonction d'une couche d'électrode réfléchissante peuvent être réalisés de façon satisfaisante en même temps et le rendement lumineux peut être amélioré sans trop augmenter une tension directe ; et un procédé pour la fabrication de l'élément électroluminescent à semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III. Cet élément électroluminescent (100) à semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III comprend : un stratifié (106) de semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III composé d'une couche de semi-conducteur de type n (103), d'une couche électroluminescente (104) et d'une couche de semi-conducteur de type p (105) ; une électrode côté n (112) ; et une électrode côté p (113). L'élément électroluminescent (100) à semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III est caractérisé en ce qu'une couche mixte (111) qui est composée d'une section électrode de réflexion (109) et d'une section de contact (110) comprenant du AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 0,05) est disposée sur une seconde surface (108) du stratifié (106) de semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III, la seconde surface (108) étant à l'opposé d'une première surface (107) qui correspond au côté d'extraction de lumière du stratifié (106) de semi-conducteur en nitrure d'élément du groupe III.
(JA)
 電極と半導体層との良好なオーミック接触と反射電極層の機能を十分に発揮させることとの両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく、発光効率を向上させることが可能なIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 本発明のIII族窒化物半導体発光素子100は、n型半導体層103、発光層104、p型半導体層105からなるIII族窒化物半導体積層体106と、n側電極112およびp側電極113とを有する。そして、III族窒化物半導体積層体106の、光取出し側の第1表面107とは反対側の第2表面108上に、反射電極部109とAlGa1-xN(0≦x≦0.05)よりなるコンタクト部110との混在層111を有することを特徴とする。
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