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1. WO2012023764 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MODULE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2012/023764
Date de publication 23.02.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2011/005944
Date du dépôt international 12.08.2011
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2924/01322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
013Alloys
0132Binary Alloys
01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
H01L 2924/1815
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
181Encapsulation
1815Shape
H01L 2933/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0033relating to semiconductor body packages
005relating to encapsulations
H01L 33/486
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
483Containers
486adapted for surface mounting
Déposants
  • (주)아이셀론 IXELON CO.,LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • 박용규 PARK, Yong Kuy [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • 박용규 PARK, Yong Kuy
Mandataires
  • 김선기 KIM, Sun Kee
Données relatives à la priorité
10-2010-007879916.08.2010KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING AN LED MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MODULE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) LED 모듈 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a method of manufacturing an LED module. The method of manufacturing the LED module includes: preparing a first package in which an LED chip is mounted inside a housing, wherein a first phosphor is coated within the housing in which the LED chip is mounted, and the first package has a blue or white-based color coordinate and a color temperature of about 10,000°K to about 16,000°K (Kelvin temperature); performing a plasma-cleaning process for removing moisture, an oxide layer, and foreign substances from a top surface of the first phosphor of the first package; and coating a second phosphor on the top surface of the first phosphor of the first package in which the plasma cleaning process is performed to form a second package in which the color temperature and color coordinate of the first package are changed. According to the present invention, the color temperature and color coordinate may be changed using the phosphor to recycle the LED package and reduce manufacturing costs of the LED module for lighting or advertising purposes.
(FR)
La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un module de diode électroluminescente. Le procédé de fabrication du module de diode électroluminescente met en œuvre : la préparation d'un premier boîtier dans lequel une puce de diode électroluminescente est montée à l'intérieur d'un boîtier, un premier matériau fluorescent revêtant l'intérieur du boîtier dans lequel est montée la puce de diode électroluminescente, et le premier boîtier a une coordonnée de couleur à base de bleu ou de blanc et une température de couleur d'environ 10.000 K à environ 16.000 K (température Kelvin) ; la réalisation d'un processus de nettoyage au plasma pour retirer l'humidité, une couche d'oxyde et des substances étrangères à partir d'une surface supérieure du premier matériau fluorescent du premier boîtier ; et le revêtement d'un second matériau fluorescent sur la surface supérieure du premier matériau fluorescent du premier boîtier, le processus de nettoyage au plasma étant effectué de façon à former un second boîtier dans lequel la température de couleur et la coordonnée de couleur du premier boîtier sont changées. Selon la présente invention, la température de couleur et la coordonnée de couleur peuvent être changées à l'aide du matériau fluorescent de façon à recycler le boîtier de diode électroluminescente et à réduire les coûts de fabrication du module de diode électroluminescente à des fins d'éclairage ou publicitaires.
(KO)
본 발명은 LED 모듈 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 LED모듈 제조방법은, 하우징 내부에 LED칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 실장된 하우징 내부에 제1형광체가 도포되며, 청색 또는 백색계열의 색좌표를 가지고, 10000~16000°K(캘빈온도)의 색온도를 가지는 제1패키지를 준비하는 단계와; 상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면의 수분, 산화막 및 이물질 제거를 위해 플라즈마 클리닝(cleaning) 공정을 수행하는 단계와; 상기 플라즈마 클리닝 공정이 수행된 상기 제1패키지의 상기 제1형광체의 상부면에 제2형광체를 도포하여, 상기 제1패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시킨 제2패키지를 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 형광체를 이용한 색온도 및 색좌표 변경을 통해 LED 패키지의 재활용이 가능하며, 조명용 또는 광고용 LED 모듈의 제조비용을 절감할 수 있다.
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