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1. WO2012012744 - MÉCANISME DE TRANSPORT DE SUBSTRAT VENANT EN CONTACT AVEC UN SEUL CÔTÉ D'UN SUBSTRAT DE TYPE BANDE FLEXIBLE POUR LE DÉPÔT ROULEAU À ROULEAU DE FILM MINCE

Numéro de publication WO/2012/012744
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/045049
Date du dépôt international 22.07.2011
CIB
C23C 16/448 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
448caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
CPC
C23C 16/45551
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45544characterized by the apparatus
45548having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
45551for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
C23C 16/45555
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45555applied in non-semiconductor technology
C23C 16/545
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
545for coating elongated substrates
Déposants
  • LOTUS APPLIED TECHNOLOGY, LLC [US/US]; 1050 NW Compton Drive Hillsboro, Oregon 97006, US (AllExceptUS)
  • DICKEY, Eric, R. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DICKEY, Eric, R.; US
Mandataires
  • FERRIS, Kassim, M.; Stoel Rives LLP 900 SW Fifth Ave Suite 2600 Portland, OR 97204, US
Données relatives à la priorité
61/366,92723.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE TRANSPORT MECHANISM CONTACTING A SINGLE SIDE OF A FLEXIBLE WEB SUBSTRATE FOR ROLL-TO-ROLL THIN FILM DEPOSITION
(FR) MÉCANISME DE TRANSPORT DE SUBSTRAT VENANT EN CONTACT AVEC UN SEUL CÔTÉ D'UN SUBSTRAT DE TYPE BANDE FLEXIBLE POUR LE DÉPÔT ROULEAU À ROULEAU DE FILM MINCE
Abrégé
(EN)
Systems (100, 200, 300, 400) and methods for depositing a thin film on a flexible substrate (106, 206, 306, 406) involve guiding the flexible substrate along a spiral transport path back and forth between spaced-apart first and second precursor zones (110, 112, 210, 212, 310, 312, 410, 412) so that the substrate transits through the first and second precursor zones multiple times and each time through an intermediate isolation zone (1 16, 216, 316, 416) without mechanically contacting an outer surface (182, 382) of the substrate with a substrate transport mechanism (166, 168, 170, 266, 270, 274, 276, 366, 370, 466, 470), thereby inhibiting mechanical damage to the thin film deposited on the outer surface, which may improve barrier layer performance of the thin film.
(FR)
L'invention concerne des systèmes (100, 200, 300, 400) et des procédés de dépôt d'un film mince sur un substrat flexible (106, 206, 306, 406) qui consistent à guider le substrat flexible le long d'un trajet de transport en spirale selon un mouvement de va-et-vient entre des première et seconde zones de précurseur (110, 112, 210, 212, 310, 312, 410, 412) espacées, de sorte que le substrat passe par les première et seconde zones de précurseur de nombreuses fois, en passant à chaque fois par une zone d'isolation intermédiaire (1 16, 216, 316, 416) sans qu'une surface extérieure (182, 382) du substrat vienne en contact mécanique avec un mécanisme de transport de substrat (166, 168, 170, 266, 270, 274, 276, 366, 370, 466, 470). Cela empêche un endommagement mécanique du film mince déposé sur la surface extérieure, ce qui peut améliorer les performances en tant que couche barrière du film mince.
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