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1. WO2012012505 - MISE EN CORRESPONDANCE D'ADRESSES À PLUSIEURS NIVEAUX DANS UNE MÉMOIRE FLASH

Numéro de publication WO/2012/012505
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044640
Date du dépôt international 20.07.2011
CIB
G06F 12/02 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12Accès à, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoires
02Adressage ou affectation; Réadressage
CPC
G06F 12/0246
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
023Free address space management
0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
0246in block erasable memory, e.g. flash memory
G06F 2212/7201
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2212Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
72Details relating to flash memory management
7201Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
Déposants
  • SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 10200 South DeAnza Boulevard Cupertino, CA 95014, US (AllExceptUS)
  • RUB, Bernie, Bernardo [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • RUB, Bernie, Bernardo; US
Mandataires
  • PECHMAN, Robert, J.; 1280 Disc Drive Shakopee, MN 55379, US
Données relatives à la priorité
12/840,93821.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-TIER ADDRESS MAPPING IN FLASH MEMORY
(FR) MISE EN CORRESPONDANCE D'ADRESSES À PLUSIEURS NIVEAUX DANS UNE MÉMOIRE FLASH
Abrégé
(EN)
A user data portion of a flash memory arrangement is grouped into a plurality of mapping units. Each of the mapping units includes a user data memory portion and a metadata portion. The mapping units form a plurality of groups that are associated with at least one lower tier of a forward memory map. For each of the groups, a last written mapping unit within the group is determined. The last written mapping unit includes mapping data in the metadata portion that facilitates determining a physical address of other mapping units within the group. A top tier of the forward memory map is formed that includes at least physical memory locations of the last written mapping units of each of the groups. A physical address of a targeted memory is determined using the top tier and the metadata of the at least one lower tier.
(FR)
Une partie "données d'utilisateur" d'un dispositif de mémoire flash est dégroupée en une pluralité d'unités de mise en correspondance. Chacune des unités de mise en correspondance comprend une partie "mémoire de données d'utilisateur" et une partie "métadonnées". Les unités de mise en correspondance forment une pluralité de groupes qui sont associées à au moins un niveau inférieur d'un topogramme mémoire anticipant. Dans chacun des groupes l'unité de mise en correspondance on détermine la dernière unité enregistrée dans le groupe. La partie métadonnées de la dernière unité de mise en correspondance enregistrée comporte une donnée de mise en correspondance qui facilite, à l'intérieur du groupe, la détermination d'une adresse physique d'autres unités de mise en correspondance. Dans le topogramme anticipant, on forme un niveau supérieur comportant au moins les emplacements de mémoire physique des dernières unités de mise en correspondance enregistrées de chacun des groupes. Enfin, pour déterminer une adresse physique dans une mémoire ciblée, on utilise le niveau supérieur et les métadonnées du niveau inférieur considéré.
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