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1. WO2012012435 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE MÉMOIRE VIVE À THYRISTORS À HAUTE DENSITÉ

Numéro de publication WO/2012/012435
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044546
Date du dépôt international 19.07.2011
CIB
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
CPC
H01L 29/74
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US (AllExceptUS)
  • MATHEW, Suraj J. [US/US]; US (UsOnly)
  • MOULI, Chandra [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MATHEW, Suraj J.; US
  • MOULI, Chandra; US
Mandataires
  • MADDEN, Robert B.; Schwegman, Lundberg, & Woessner, P.A. P.O. Box 2938 Minneapolis, Minnesota 55402-0938, US
Données relatives à la priorité
12/838,80319.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH DENSITY THYRISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE MÉMOIRE VIVE À THYRISTORS À HAUTE DENSITÉ
Abrégé
(EN)
Memory devices and methods of making memory devices are shown. Methods and configurations as shown provide folded and vertical memory devices for increased memory density. Methods provided allow trace wiring in a memory array to be formed on or near a surface of a memory device.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs de mémoire et des procédés de fabrication de dispositifs de mémoire. Des procédés et configurations décrits concernent des dispositifs de mémoire repliés et verticaux pour une densité de mémoire accrue. Les procédés décrits permettent la formation de câblage de traçage dans un matrice mémoire à former sur ou près d'une surface d'un dispositif de mémoire.
Également publié en tant que
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