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Paramétrages

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1. WO2012012354 - SOURCE DE LUMIÈRE BLANCHE À SEMI-CONDUCTEUR ET SPECTRE PLEIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPLICATIONS ASSOCIÉES

Numéro de publication WO/2012/012354
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044412
Date du dépôt international 19.07.2011
CIB
F21V 9/10 2006.01
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21ÉCLAIRAGE
VCARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
9Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres
08pour produire une lumière colorée, p.ex. monochromatique; pour réduire l’intensité de la lumière
10avec possibilité de faire varier la couleur ou l'intensité
F21V 13/00 2006.01
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21ÉCLAIRAGE
VCARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS
13Production de caractéristiques ou d'une distribution particulières de la lumière émise au moyen d'une combinaison d'éléments spécifiés dans plusieurs des groupes principaux F21V1/-F21V11/225
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C09K 11/7731
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
08containing inorganic luminescent materials
77containing rare earth metals
7728comprising europium
7729Chalcogenides
7731with alkaline earth metals
H01L 2933/0041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0041relating to wavelength conversion elements
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
502Wavelength conversion materials
Déposants
  • RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE [US/US]; 110 8th Street Troy, NY 12180-3590, US (AllExceptUS)
  • DUTTA, Partha, S. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DUTTA, Partha, S.; US
Mandataires
  • ETKOWICZ, Jacques, L.; RatnerPrestia P.O. Box 980 Valley Forge, PA 19482, US
Données relatives à la priorité
61/399,89019.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FULL SPECTRUM SOLID STATE WHITE LIGHT SOURCE, METHOD FOR MANUFACTURING AND APPLICATIONS
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE BLANCHE À SEMI-CONDUCTEUR ET SPECTRE PLEIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPLICATIONS ASSOCIÉES
Abrégé
(EN)
A method of manufacturing a down-conversion substrate for use in a light system includes forming a first crystallography layer comprising one or more phosphor materials and, optionally, applying at least one activator to the crystallography layer, heating the crystallography layer at high temperature to promote crystal growth in the crystallography layer, and drawing out the crystallography layer and allowing the crystallography layer to cool to form the down-conversion substrate. A light system includes an excitation source for emitting short wavelength primary emissions; and a down-conversion substrate disposed in the path of at least some of the primary emissions from the excitation source to convert at least a portion of the primary emissions into longer-wavelength secondary emissions, wherein the substrate comprises one or more crystallography layers, wherein each crystallography layer comprises one or more phosphor materials, and optionally at least one activator. Down-converted secondary light may be produced by the system.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de conversion descendante destiné à une utilisation dans un système lumineux, comprenant : la formation d'une première couche de cristallographie comprenant une ou plusieurs substances luminescentes et, éventuellement, l'application d'au moins un activateur sur la couche de cristallographie; le chauffage de la couche de cristallographie à haute température afin de promouvoir la croissance de cristaux dans la couche de cristallographie; et l'étirage de la couche de cristallographie en laissant la couche de cristallographie se refroidir afin de former le substrat de conversion descendante. L'invention concerne également un système lumineux, comprenant : une source d'excitation destinée à émettre des émissions primaires de courte longueur d'onde; et un substrat de conversion descendante disposé sur le chemin d'au moins certaines des émissions primaires provenant de la source d'excitation afin de convertir au moins une partie des émissions primaires en émissions secondaires de plus grande longueur d'onde. Le substrat comprend une ou plusieurs couches de cristallographie. Chaque couche de cristallographie comprend une ou plusieurs substances luminescentes, et éventuellement au moins un activateur. Le système permet de produire de la lumière secondaire abaissée par conversion.
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