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Paramétrages

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1. WO2012011523 - APPAREIL POUR LA FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2012/011523
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066546
Date du dépôt international 21.07.2011
CIB
C01B 33/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
C30B 28/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
28Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
04à partir de liquides
06par solidification simple ou dans un gradient de température
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
C30B 11/003
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
003Heating or cooling of the melt or the crystallised material
C30B 28/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
28Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
04from liquids
06by normal freezing or freezing under temperature gradient
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 30/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
30Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
Déposants
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目3番2号 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP (AllExceptUS)
  • 三菱マテリアル電子化成株式会社 Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. [JP/JP]; 秋田県秋田市茨島三丁目1番6号 1-6, Barajima 3-chome, Akita-shi, Akita 0108585, JP (AllExceptUS)
  • 続橋 浩司 TSUZUKIHASHI Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 脇田 三郎 WAKITA Saburo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 池田 洋 IKEDA Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 金井 昌弘 KANAI Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 続橋 浩司 TSUZUKIHASHI Koji; JP
  • 脇田 三郎 WAKITA Saburo; JP
  • 池田 洋 IKEDA Hiroshi; JP
  • 金井 昌弘 KANAI Masahiro; JP
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Données relatives à la priorité
2010-16477422.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT MANUFACTURING APPARATUS, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT MANUFACTURING METHOD, AND POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT
(FR) APPAREIL POUR LA FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット
Abrégé
(EN)
Provided are a polycrystalline silicon ingot manufacturing apparatus whereby production yield of a polycrystalline silicon is significantly improved by reducing a portion where oxygen concentration is locally high at the bottom, a polycrystalline silicon ingot manufacturing method, and a polycrystalline silicon ingot. A polycrystalline silicon ingot manufacturing apparatus (10) has: a crucible (20) having a rectangular cross-section; an upper heater (43) disposed above the crucible (20); and a lower heater (33) disposed below the crucible (20). The manufacturing apparatus solidifies a silicon melt (3) upward in one direction from bottom surface (21), said melt being contained in the crucible (20), and the manufacturing apparatus is characterized in being provided with an auxiliary heater (50) which heats, on the bottom surface (21) side of the crucible (20), at least a part of the side wall portion (22) of the crucible (20).
(FR)
L'invention concerne un appareil pour la fabrication de lingots de silicium polycristallin grâce auquel le rendement de production en silicium polycristallin est amélioré significativement en réduisant une portion où la concentration en oxygène est localement élevée dans le fond ; un procédé fabrication de lingots de silicium polycristallin ; et un lingot de silicium polycristallin. Un appareil de fabrication de lingots de silicium polycristallin (10) présente : un creuset (20) présentant une section transversale rectangulaire ; un dispositif de chauffage supérieur (43) disposé au-dessus du creuset (20); et un dispositif de chauffage inférieur (33) disposé sous le creuset (20). L'appareil de fabrication solidifie une masse fondue de silicium (3) ascendante dans un sens à partir de la surface de fond (21), ladite masse fondue étant contenue dans le creuset (20), et l'appareil de fabrication est caractérisé en ce qu'il est doté d'un dispositif de chauffage auxiliaire (50) qui chauffe, sur le côté de la surface de fond (21) du creuset(20), au moins une partie de la portion latérale de la paroi (22) du creuset (20).
(JA)
 底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。断面矩形状をなす坩堝(20)と、この坩堝(20)の上方に配設された上部ヒータ(43)と、坩堝(20)の下方に配設された下部ヒータ(33)と、を有し、坩堝(20)内に貯留されたシリコン融液(3)を、その底面(21)から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置(10)であって、坩堝(20)の底面(21)側において坩堝(20)の側壁部(22)の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ(50)を備えていることを特徴とする。
Également publié en tant que
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