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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012011372 - FLUORINE

Numéro de publication WO/2012/011372
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065025
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
C30B 29/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
12Halogénures
C01F 11/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
FCOMPOSÉS DE BÉRYLLIUM, MAGNÉSIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARYUM, RADIUM, THORIUM OU COMPOSÉS DES MÉTAUX DES TERRES RARES
11Composés du calcium, du strontium ou du baryum
20Halogénures
22Fluorures
G02B 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
1Eléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
02faits de cristaux, p.ex. sel gemme, semi-conducteurs
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C01F 11/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
11Compounds of calcium, strontium, or barium
20Halides
22Fluorides
C30B 11/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
G02B 1/02
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
1Optical elements characterised by the material of which they are made
02made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
G03F 1/60
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
60Substrates
G03F 7/70958
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
70958Optical materials and coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance
Déposants
  • 日本結晶光学株式会社 Nihon Kessho Kogaku Co.,Ltd. [JP/JP]; 群馬県館林市野辺町810-5 810-5, Nobe-cho, Tatebayashi-City, Gunma 3740047, JP (AllExceptUS)
  • 山崎 貴史 YAMAZAKI, Takafumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 城 勇介 SHIRO, Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 山崎 貴史 YAMAZAKI, Takafumi; JP
  • 城 勇介 SHIRO, Yusuke; JP
Mandataires
  • 特許業務法人竹内・市澤国際特許事務所 TAKEUCHI, ICHIZAWA & ASSOCIATES; 東京都港区赤坂2丁目19番8号 赤坂2丁目アネックス6階 6F., Akasaka 2-chome Annex, 19-8, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité
2010-16480722.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FLUORITE
(FR) FLUORINE
(JA) 蛍石
Abrégé
(EN)
Disclosed is a fluorite with even greater laser durability than conventional fluorites. Specifically disclosed is a fluorite with a standard deviation for the area of a Voronoi region in a diagram wherein the etch pit distribution of a surface (111) is Voronoi-segmented is 6,000µm2 or less, or the standard deviation of the distance of a Delaunay side in a diagram wherein the etch pit distribution of a surface (111) is Delaunay-segmented is 80 µm or less.
(FR)
L'invention concerne une fluorine présentant une durabilité au laser encore plus grande que les fluorines classiques. L'invention concerne spécifiquement une fluorine présentant un écart type pour l'aire d'une région de Voronoi dans un diagramme où la distribution des piqûres de corrosion d'une surface (111) est segmentée selon Voronoi de 6 000 µm2 ou moins, ou un écart type de la distance d'un côté de Delaunay dans un diagramme où la distribution des piqûres de corrosion d'une surface (111) est segmentée selon Delaunay de 80 µm ou moins.
(JA)
 従来の蛍石に比べてレーザ耐久性がより一層優れた蛍石を提供する。 (111)面のエッチピットの分布をVoronoi分割した図形におけるVoronoi領域の面積の標準偏差が6000μm以下であるか、或いは、(111)面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が80μm以下である蛍石を提案する。
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