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Paramétrages

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1. WO2012011217 - SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT, ET DALLE D'AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES

Numéro de publication WO/2012/011217
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/002824
Date du dépôt international 20.05.2011
CIB
G02F 1/1362 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
G02F 1/1368 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
1368dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
CPC
G02F 1/136227
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
H01L 21/8232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
  • 美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null
Mandataires
  • 前田弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
Données relatives à la priorité
2010-16363921.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT, ET DALLE D'AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに液晶表示パネル
Abrégé
(EN)
Disclosed is an active matrix substrate (30a) comprising: a plurality of pixels disposed in a matrix; a plurality of switching elements (5a) each disposed in each pixel; a first protective insulating film (20a) disposed on top of each switching element (5a): a transparent conductive layer (21b) disposed on top of the first protective insulating film (20a); a second protective insulating film (22a) disposed on top of the transparent conductive layer (21b); and a plurality of pixel electrodes (23a) disposed on top of the second protective insulating film (22a) in a matrix and each connected to each switching element (5a). A groove (G) is formed in the second protective insulating film (22a) such that the first protective insulating film (20a) is exposed along the circumference of each pixel electrode (23a) and the transparent conductive layer (21b) is disposed so as to be exposed along the groove in the second protective insulating film (22a) from a side wall (W) of the groove (G) in a state recessed from the side wall (W) of the groove (G).
(FR)
La présente invention concerne un substrat de matrice active (30a) comprenant: une pluralité de pixels disposés en matrice; une pluralité d'éléments de commutation (5a) disposés chacun dans chaque pixel; un premier film isolant protecteur (20a) disposé au-dessus de chaque élément de commutation (5a); une couche conductrice transparente (21b) disposée au-dessus du premier film isolant protecteur (20a); un second film isolant protecteur (22a) disposé au-dessus de la couche conductrice transparente (21b); et une pluralité d'électrodes de pixels (23a) disposées en matrice au-dessus du second film isolant protecteur (22a), chacune de ces électrodes étant connectées à chaque élément de commutation (5a). Une rainure (G) est réalisée dans le second film isolant protecteur (22a) de façon que le premier film isolant protecteur (20a) soit dégagé le long du pourtour de chaque électrode de pixel (23a). Enfin, la couche conductrice transparente (21b) est disposée de façon, d'une part à être dégagée le long de la rainure dans le second film isolant protecteur (22a) à partir d'une paroi latérale (W) de la rainure (G), et d'autre part à être en creux à partir de la paroi latérale (W) de la rainure (G).
(JA)
 マトリクス状に設けられた複数の画素と、各画素毎にそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子(5a)と、各スイッチング素子(5a)上に設けられた第1保護絶縁膜(20a)と、第1保護絶縁膜(20a)上に設けられた透明導電層(21b)と、透明導電層(21b)上に設けられた第2保護絶縁膜(22a)と、第2保護絶縁膜(22a)上にマトリクス状に設けられ、各スイッチング素子(5a)にそれぞれ接続された複数の画素電極(23a)とを備えたアクティブマトリクス基板(30a)であって、第2保護絶縁膜(22a)には、各画素電極(23a)の周囲に沿って第1保護絶縁膜(20a)が露出するように溝(G)が形成され、透明導電層(21b)は、第2保護絶縁膜(22a)の溝(G)に沿って溝(G)の側壁(W)から凹んだ状態で溝(G)の側壁(W)から露出するように設けられている。
Également publié en tant que
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