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Paramétrages

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1. WO2012011204 - CIBLE DE PULVÉRISATION DE MATÉRIAU FERROMAGNÉTIQUE PRÉSENTANT UNE FAIBLE PRODUCTION DE PARTICULES

Numéro de publication WO/2012/011204
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/067179
Date du dépôt international 30.09.2010
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
B22F 2998/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
2998Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
C22C 19/07
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
19Alloys based on nickel or cobalt
07based on cobalt
C22C 2202/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
2202Physical properties
02Magnetic
C22C 32/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
32Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides whether added as such or formed in situ
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
H01F 41/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
41Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
14for applying magnetic films to substrates
18by cathode sputtering
183Sputtering targets therefor
Déposants
  • JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP (AllExceptUS)
  • 荻野 真一 OGINO Shin-ichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐藤 敦 SATO Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中村 祐一郎 NAKAMURA Yuichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 荻野 真一 OGINO Shin-ichi; JP
  • 佐藤 敦 SATO Atsushi; JP
  • 中村 祐一郎 NAKAMURA Yuichiro; JP
  • 荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi; JP
Mandataires
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu; 東京都港区虎ノ門3丁目1番10号 第2虎ノ門電気ビル5階 小越国際特許事務所 OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
2010-16329620.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FERROMAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET WITH LITTLE PARTICLE GENERATION
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE MATÉRIAU FERROMAGNÉTIQUE PRÉSENTANT UNE FAIBLE PRODUCTION DE PARTICULES
(JA) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
Abrégé
(EN)
Disclosed is a ferromagnetic material sputtering target composed of a metal having a composition containing 20 mol% or less of Cr, and Co as the remainder, wherein: the target composition has a metal base (A) and a flat phase (B), which contains 90 wt% or more of Co, in the metal base (A); and the flat phase (B) has an average particle diameter of 10 to 150 µm and an average aspect ratio of 1:2 to 1:10. As a consequence, a ferromagnetic material sputtering target is obtained wherein it is possible to prevent particle generation during sputtering and to stably discharge in a magnetron sputter device by improving the leakage magnetic flux.
(FR)
La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation de matériau ferromagnétique qui est composée d'un métal qui a une composition contenant une quantité de chrome (Cr) égale ou inférieure à 20 % en moles, le restant étant du cobalt (Co). La composition de la cible présente une base métallique (A) et une phase plate (B) qui contient une quantité de cobalt (Co) égale ou supérieure à 90 % en poids, dans la base métallique (A) ; et la phase plate (B) présente un diamètre particulaire moyen compris entre 10 et 150 µm et un facteur de forme moyen compris entre 1:2 et 1:10. On obtient alors une cible de pulvérisation de matériau ferromagnétique pour laquelle il est possible d'empêcher la production de particules pendant la pulvérisation et de procéder à une évacuation de façon stable dans un dispositif de pulvérisation magnétron en améliorant le flux magnétique de fuite.
(JA)
Crが20mol%以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地(A)と、前記(A)の中に、Coを90wt%以上含有する扁平状の相(B)を有し、前記相(B)の平均粒径が10以上150μm以下、かつ、平均アスペクト比が1:2~1:10であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタ時のパーティクルの発生を抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。
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