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Paramétrages

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1. WO2012011202 - PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉCOLLEMENT PAR LASER

Numéro de publication WO/2012/011202
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/066792
Date du dépôt international 28.09.2010
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/268 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
CPC
B23K 2103/172
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
16Composite materials ; , e.g. fibre reinforced
166Multilayered materials
172wherein at least one of the layers is non-metallic
B23K 26/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
B23K 26/064
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
064by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
B23K 26/0732
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
073Shaping the laser spot
0732into a rectangular shape
B23K 26/083
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
Déposants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 2-6-1,Ote-machi,Chiyoda-ku, Tokyo 1008150, JP (AllExceptUS)
  • 松田 僚三 MATSUDA Ryozo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 鳴海 恵司 NARUMI Keiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田中 一也 TANAKA Kazuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 篠山 一城 SHINOYAMA Kazuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松元 峻士 MATSUMOTO Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 松田 僚三 MATSUDA Ryozo; JP
  • 鳴海 恵司 NARUMI Keiji; JP
  • 田中 一也 TANAKA Kazuya; JP
  • 篠山 一城 SHINOYAMA Kazuki; JP
  • 松元 峻士 MATSUMOTO Takashi; JP
Mandataires
  • 長澤俊一郎 NAGASAWA Shunichirou; 東京都荒川区西日暮里四丁目23番3号きすなビル4階4A Room 4A,Kisuna Bldg.,23-3, Nishi-nippori 4-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1160013, JP
Données relatives à la priorité
2010-16327320.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LASER LIFT-OFF METHOD AND LASER LIFT-OFF APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉCOLLEMENT PAR LASER
(JA) レーザリフトオフ方法及びレーザリフトオフ装置
Abrégé
(EN)
The present invention is capable of peeling, from a substrate, a material layer formed on the substrate without generating cracks in the material layer. In order to peel the material layer from the substrate at an interface between the substrate (1) and the material layer (2), pulsed laser light (L) is applied, through the substrate (1), to a work (3) having the material layer (2) formed on the substrate (1), while constantly changing the irradiation region with respect to the work (3), in such a manner that the adjacent irradiation regions overlap each other on the work (3). The region where the pulsed laser light (L) is applied to the work (3) is set to satisfy the relationship of S/L≤0.125, where S (mm2) is the area of the irradiation region, and L (mm) is the circumferential length of the irradiation region. Consequently, the material layer can be reliably peeled from the substrate without generating cracks in the material layer formed on the substrate.
(FR)
La présente invention permet de décoller d'un substrat une couche de matériau formée sur le substrat sans générer de fissures dans ladite couche. Pour décoller la couche de matériau du substrat au niveau d'une interface entre le substrat (1) et la couche de matériau (2), une lumière laser pulsée (L) est appliquée à travers le substrat (1) à une pièce (3) dont la couche de matériau (2) est formée sur le substrat (1), tout en changeant en permanence la région d'irradiation par rapport à la pièce (3) de manière à ce que les régions d'irradiation adjacentes se chevauchent sur la pièce (3). La région où la lumière laser pulsée (L) est appliquée à la pièce (3) est définie pour satisfaire la relation S/L ≤ 0,125, où S (mm2) est la surface de la région d'irradiation, et L (mm) est la longueur de la circonférence de la région d'irradiation. Par conséquent, la couche de matériau peut être décollée de façon fiable du substrat sans générer de fissures dans ladite couche.
(JA)
 基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにする。基板1と前記材料層2との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板1上に材料層2が形成されたワーク3に対し、基板1を通して、パルスレーザ光Lをワーク3に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク3において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。前記ワーク3へのパルスレーザ光Lの照射領域は、該照射領域の面積をS(mm)、照射領域の周囲長をL(mm)としたとき、S/L≦0.125の関係を満たすように設定される。これによって、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。
Également publié en tant que
US13811094
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