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1. WO2012010979 - PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR CAPTEURS MAGNÉTIQUES À FAIBLE BRUIT

Numéro de publication WO/2012/010979
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/IB2011/002444
Date du dépôt international 20.07.2011
CIB
G01R 33/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
CPC
G01R 33/0052
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
0052Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
G01R 33/095
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
095extraordinary magnetoresistance sensors
H01L 43/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
06Hall-effect devices
H01L 43/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
06Hall-effect devices
065Semiconductor Hall-effect devices
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
Déposants
  • KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [SA/SA]; P.o. Box 55455 Jeddah, 21534, SA (AllExceptUS)
  • SUN, Jian [CN/SA]; SA (UsOnly)
  • KOSEL, Jurgen [AT/SA]; SA (UsOnly)
Inventeurs
  • SUN, Jian; SA
  • KOSEL, Jurgen; SA
Données relatives à la priorité
61/365,91420.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND APPARATUSES FOR LOW-NOISE MAGNETIC SENSORS
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR CAPTEURS MAGNÉTIQUES À FAIBLE BRUIT
Abrégé
(EN)
Magnetic sensors are disclosed, as well as methods for fabricating and using the same. In some embodiments, an EMR effect sensor includes a semiconductor layer. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a conductive layer substantially coupled to the semiconductor layer. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a first voltage lead coupled to the semiconductor layer. In some embodiments, the first voltage lead may be configured to provide a voltage for measurement by a voltage measurement circuit. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a second voltage lead coupled to the conductive layer. In some embodiments, the second voltage lead may be configured to provide a voltage for measurement by a voltage measurement circuit. Embodiments of a Hall effect sensor having the same or similar structure are also disclosed.
(FR)
L'invention concerne des capteurs magnétiques ainsi que leurs procédés de fabrication et d'utilisation. Dans certains modes de réalisation, un capteur à effet EMR comprend une couche semiconductrice. Dans certains modes de réalisation, le capteur à effet EMR peut comprendre une couche conductrice sensiblement couplée avec la couche semiconductrice. Dans certains modes de réalisation, le capteur à effet EMR peut comprendre un premier fil de tension couplé à la couche semiconductrice. Dans certains modes de réalisation, le premier fil de tension peut être configuré pour produire une tension à mesurer par un circuit de mesure de tension. Dans certains modes de réalisation, le capteur à effet EMR peut comprendre un second fil de tension couplé à la couche conductrice. Dans certains modes de réalisation, le second fil de tension peut être configuré pour fournir une tension à mesurer par un circuit de mesure de tension. L'invention concerne en outre des modes de réalisation d'un capteur à effet Hall ayant une structure identique ou similaire.
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