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Paramétrages

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1. WO2012010647 - PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DU PROFIL D'UN DOPANT ACTIF

Numéro de publication WO/2012/010647
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/062483
Date du dépôt international 20.07.2011
CIB
G01N 21/17 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
CPC
G01N 21/1717
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
1717with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
G01N 21/55
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
55Specular reflectivity
Déposants
  • IMEC [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE (AllExceptUS)
  • KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; K.U.Leuven R&D Minderbroedersstraat 8A bus 5105 B-3000 Leuven, BE (AllExceptUS)
  • BOGDANOWICZ, Janusz [BE/BE]; BE (UsOnly)
Inventeurs
  • BOGDANOWICZ, Janusz; BE
Mandataires
  • WAUTERS, Davy; DenK iP bvba Pastoor Ceulemansstraat 3 B-3191 Schiplaken (Hever), BE
Données relatives à la priorité
61/366,46021.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DETERMINING AN ACTIVE DOPANT PROFILE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DU PROFIL D'UN DOPANT ACTIF
Abrégé
(EN)
A method(100) for determining an active dopant concentration profile of a semiconductor substrate based on optical measurements is provided. The active dopant concentration profile comprises a concentration level and a junction depth. The method comprises obtaining (120) a photomodulated reflectance (PMOR) amplitude offset curve and a photomodulated reflectance (PMOR) phase offset curve for the semiconductor substrate based on photomodulated reflectance (PMOR) measurements, determining a decay length parameter (130) based on a first derivative of the amplitude offset curve and determining a wavelength parameter (140) based on a first derivative of the phase offset curve, and determining (150) from the decay length parameter and from the wavelength parameter, the concentration level and the junction depth of the active dopant concentration profile.
(FR)
La présente invention concerne un procédé (100) permettant de déterminer le profil de concentration en dopant actif d'un substrat semi-conducteur sur la base de mesures optiques. Le profil de concentration en dopant actif est caractérisé par un niveau de concentration et par une profondeur de jonction. Ledit procédé comprend les étapes consistant à obtenir (120) une courbe parallèle de l'amplitude de réflectance photomodulée (PMOR) et une courbe parallèle de la phase de réflectance photomodulée (PMOR) pour le substrat semi-conducteur sur la base de mesures de la réflectance photomodulée (PMOR), à déterminer un paramètre correspondant à la longueur de désintégration (130) sur la base d'une première dérivée de la courbe parallèle de l'amplitude et à déterminer un paramètre correspondant à la longueur d'onde (140) sur la base d'une première dérivée de la courbe parallèle de la phase, puis à déterminer (150) à partir du paramètre correspondant à la longueur de désintégration et du paramètre correspondant à la longueur d'onde, le niveau de concentration et la profondeur de jonction du profil de concentration en dopant actif.
Également publié en tant que
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