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Paramétrages

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1. WO2012010329 - PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR ALLUMER DES BÂTONS DE SILICIUM À L'EXTÉRIEUR D'UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR

Numéro de publication WO/2012/010329
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/003724
Date du dépôt international 25.07.2011
CIB
C01B 33/035 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
021Préparation
027par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
035par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p.ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p.ex. procédé Siemens
H02M 5/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
5Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases
02sans transformation intermédiaire en courant continu
04par convertisseurs statiques
22utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
G05D 23/19 2006.01
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
DSYSTÈMES DE COMMANDE OU DE RÉGULATION DES VARIABLES NON ÉLECTRIQUES
23Commande de la température
19caractérisée par l'utilisation de moyens électriques
H02M 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
5Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases
02sans transformation intermédiaire en courant continu
04par convertisseurs statiques
10utilisant des transformateurs
12pour la transformation de l'amplitude de la tension ou du courant seulement
H02M 5/25 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
5Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases
02sans transformation intermédiaire en courant continu
04par convertisseurs statiques
22utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
25utilisant des dispositifs du type thyratron ou thyristor exigeant des moyens d'extinction
CPC
C01B 33/035
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
C23C 16/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
24Deposition of silicon only
Déposants
  • CENTROTHERM SITEC GMBH [DE/DE]; Johannes-Schmid Str. 8 89143 Blaubeuren, DE (AllExceptUS)
  • VOLLMAR, Wilfried [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • VOLLMAR, Wilfried; DE
Mandataires
  • KLANG, Alexander, H.; Wagner & Geyer Gewürzmühlstrasse 5 80538 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 032 103.623.07.2010DE
61/371,86409.08.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR IGNITING SILICON RODS OUTSIDE A CVD-REACTOR
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR ALLUMER DES BÂTONS DE SILICIUM À L'EXTÉRIEUR D'UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé
(EN)
A method and a device for igniting silicon rods outside a CVD-reactor for preparing silicon rods for subsequent processing in a CVD-reactor are described. In the method, a silicon rod is disposed inside an ignition device, and a first voltage is applied to the silicon rod by means of a first power supply unit, wherein the voltage is sufficient to ignite the silicon rod. Optionally, the silicon rod may be heated by means of a current flow and/or by means of an external heating unit to a temperature within a predetermined temperature range, thereafter. The silicon rod is removed from the ignition device and may be exposed to a depositing process inside a CVD-reactor, thereafter. The ignition of the silicon rod outside the CVD-reactor facilitates a new ignition for the depositing process. The device comprises a casing having a chamber for receiving at least one silicon rod. In the chamber, at least one pair of contact electrodes is arranged, in order to hold at least one silicon rod therebetween. Furthermore, a first power supply unit having at least one transformer is provided, wherein each output of the transformer is connected to one contacting electrode of a pair, respectively. The transformer comprises an open circuit voltage which is sufficiently high, in order to initialize a current flow in the silicon rod.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un dispositif pour allumer des bâtons de silicium à l'extérieur d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur pour préparer des bâtons de silicium pour un traitement ultérieur dans un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur. Selon le procédé, un bâton de silicium est disposé dans un dispositif d'allumage, et une première tension est appliquée au bâton de silicium au moyen d'un premier bloc d'alimentation, la tension étant suffisante pour allumer le bâton de silicium. Le bâton de silicium peut ensuite éventuellement être chauffé au moyen d'une circulation de courant et/ou au moyen d'une unité de chauffage extérieure à une température dans une plage de températures prédéterminée. Le bâton de silicium est sorti du dispositif d'allumage et peut ensuite être exposé à un procédé de dépôt dans un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur. L'allumage du bâton de silicium à l'extérieur du réacteur de dépôt chimique en phase vapeur facilite un nouvel allumage pour le procédé de dépôt. Le dispositif comprend un boîtier qui contient une chambre destinée à recevoir au moins un bâton de silicium. Au moins une paire d'électrodes de contact est agencée dans la chambre, de manière à pouvoir placer au moins un bâton de silicium entre elles. Un premier bloc d'alimentation contenant au moins un transformateur est également prévu, chaque sortie du transformateur étant respectivement connectée à une électrode de contact d'une paire. Le transformateur comprend une tension en circuit ouvert qui est suffisamment élevée pour initialiser une circulation de courant dans le bâton de silicium.
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