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Paramétrages

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1. WO2012009942 - PROCÉDÉ DE NETTOYAGE SUPERFICIEL D'UN MATÉRIAU EN CUIVRE POUR UNE INTÉGRATION À ULTRA-GRANDE ÉCHELLE APRÈS POLISSAGE

Numéro de publication WO/2012/009942
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/080474
Date du dépôt international 30.12.2010
CIB
B08B 3/08 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
04Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
08le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
CPC
B08B 3/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
08the liquid having chemical or dissolving effect
C11D 1/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
1Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
66Non-ionic compounds
72Ethers of polyoxyalkylene glycols
C11D 11/0047
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
C11D 3/0073
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
0005Other compounding ingredients characterised by their effect
0073Anticorrosion compositions
C11D 3/33
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
16Organic compounds
26containing nitrogen
33Amino carboxylic acids
H01L 21/02074
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02074the processing being a planarization of conductive layers
Déposants
  • 河北工业大学 HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国天津市红桥区光荣道8号 No.8, Guangrong Road Hongqiao District Tianjin 300130, CN (AllExceptUS)
  • 刘玉岭 LIU, Yuling [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 刘效岩 LIU, Xiaoyan [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 刘钠 LIU, Na [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 何彦刚 HE, Yangang [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 刘玉岭 LIU, Yuling; CN
  • 刘效岩 LIU, Xiaoyan; CN
  • 刘钠 LIU, Na; CN
  • 何彦刚 HE, Yangang; CN
Mandataires
  • 天津市三利专利商标代理有限公司 TIANJIN SANLI PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD.; 中国天津市河西区围堤道103号峰汇广场1-803/804 Room 803/804, Building 1, Future Plaza No.103, Weidi Road Hexi District Tianjin 300201, CN
Données relatives à la priorité
201010232260.321.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR CLEANING SURFACE OF COPPER MATERIAL FOR ULSI AFTER POLISHING
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE SUPERFICIEL D'UN MATÉRIAU EN CUIVRE POUR UNE INTÉGRATION À ULTRA-GRANDE ÉCHELLE APRÈS POLISSAGE
(ZH) ULSI铜材料抛光后表面清洗方法
Abrégé
(EN)
A method for cleaning surface of copper material for ULSI after polishing includes the following steps: (1) preparing cleaning solution containing: non-ionic surfactant 1-4 wt%, FA/OII chelating agent 0.5-3 wt%, FA/OII corrosion resistant agent 0.1-5 wt% and deionized water of the rest; (2) mixing and stirring uniformly the prepared solution to obtain water-soluble surface cleaning solution having pH of 7.4-8.2; and (3) washing copper material after chemically-mechanically polishing at low pressure of 2000-3000 Pa for at least 0.5-2 minutes by flowing the cleaning solution obtained in step (1) at a rate of 1000-5000 ml/minutes to clean the surface of copper material. The method has simple operation, low cost, high efficiency and no pollution, without other equipments, thus evidently improving performance of apparatus and improving the rate of finished product.
(FR)
L'invention concerne un procédé de nettoyage superficiel d'un matériau en cuivre destiné à une intégration à ultra-grande échelle après polissage qui comprend les étapes suivantes consistant à : (1) préparer une solution nettoyante comprenant : un tensioactif non ionique de 1 à 4 % en poids, un agent chélatant FA/OII de 0,5 à 3 % en poids, un agent résistant à la corrosion FA/OII de 0,1 à 5 % en poids et de l'eau déionisée pour le reste ; (2) mélanger et agiter uniformément la solution préparée pour obtenir une solution superficiellement nettoyante soluble dans l'eau ayant un pH de 7,4 à 8,2 ; et (3) laver le matériau en cuivre après un polissage de manière chimique-mécanique à une basse pression de 2000 à 3000 Pa pendant au moins 0,5 à 2 minutes en faisant circuler la solution nettoyante obtenue à l'étape (1) à un débit de 1000 à 5000 ml/minute pour nettoyer la surface du matériau en cuivre. Le procédé est simple d'utilisation, peu onéreux, très efficace et non polluant, sans autres équipements, améliorant bien évidemment les performances de l'appareil et le débit du produit fini.
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