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Paramétrages

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1. WO2012009941 - PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CÂBLAGE DE CUIVRE MULTI-COUCHE D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ À SUPER-GRANDE ÉCHELLE APRÈS POLISSAGE MÉCANICO-CHIMIQUE

Numéro de publication WO/2012/009941
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/080473
Date du dépôt international 30.12.2010
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
B08B 1/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
1Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'outils, de brosses ou d'éléments analogues
02Nettoyage d'un ouvrage en mouvement, p.ex. d'une bande ou d'objets sur un transporteur
B08B 3/08 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
04Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
08le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
CPC
B08B 3/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
10with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
12by sonic or ultrasonic vibrations
H01L 21/02074
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02074the processing being a planarization of conductive layers
H01L 21/7684
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
7684Smoothing; Planarisation
Déposants
  • 河北工业大学 HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国天津市红桥区光荣道8号 No.8, Guangrong Road Hongqiao District Tianjin 300130, CN (AllExceptUS)
  • 刘玉岭 LIU, Yuling [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 黄妍妍 HUANG, Yanyan [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 檀柏梅 TAN, Baimei [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 高宝红 GAO, Baohong [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 周强 ZHOU, Qiang [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 刘玉岭 LIU, Yuling; CN
  • 黄妍妍 HUANG, Yanyan; CN
  • 檀柏梅 TAN, Baimei; CN
  • 高宝红 GAO, Baohong; CN
  • 周强 ZHOU, Qiang; CN
Mandataires
  • 天津市三利专利商标代理有限公司 TIANJIN SANLI PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD.; 中国天津市河西区围堤道103号峰汇广场1-803/804 Room 803/804, Building 1, Future Plaza No.103, Weidi Road Hexi District Tianjin 300201, CN
Données relatives à la priorité
201010232256.721.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) CLEANING METHOD OF MULTI-LAYERED COPPER WIRING OF SUPER-LARGE-SCALE INTEGRATED CIRCUIT AFTER CHEMICAL-MECHANICAL-POLISHING
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CÂBLAGE DE CUIVRE MULTI-COUCHE D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ À SUPER-GRANDE ÉCHELLE APRÈS POLISSAGE MÉCANICO-CHIMIQUE
(ZH) 超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
Abrégé
(EN)
A cleaning method of multi-layered copper wiring of ultra-large-scale integrated circuit after chemical-mechanical-polishing, comprises: (A) preparing aqueous polishing solution composed of nonionic surfactant, rust inhibitor, chelant and deionized water; (B) adjusting pH value of the aqueous polishing solution at 7-8 using triethanolamine; (C) chemical-mechanical-polishing multi-layered copper wiring, and immediately carrying out aqueous polishing using the aqueous polishing solution at 500-5000 ml/minute for 0.5-1 minute; (D) carrying out copper wiring wafer ultrasonic cleaning in deionized water using an ultrasonic cleaner; and (E) taking out and drying.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'un câblage de cuivre multi-couche d'un circuit intégré à super-grande échelle après polissage mécanico-chimique, qui comprend : (A) la préparation d'une solution de polissage aqueuse composée d'un tensio-actif non ionique, d'un inhibiteur de rouille, d'un chélateur et d'eau déminéralisée ; (B) l'ajustement de la valeur du pH de la solution de polissage aqueuse à 7-8 à l'aide de triéthanolamine ; (C) le polissage mécanico-chimique d'un câblage en cuivre multi-couche et la réalisation immédiate du polissage aqueux à l'aide de la solution de polissage aqueuse à 500-5000 ml/minute pendant 0,5 à 1 minute ; (D) la réalisation du nettoyage ultrasonique de la plaquette de câblage en cuivre dans l'eau déminéralisée à l'aide d'un nettoyeur à ultrasons ; et (E) le retrait et le séchage.
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