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1. WO2012009639 - NETTOYANT AQUEUX POUR L'ÉLIMINATION DE RÉSIDUS POST-GRAVURE

Numéro de publication WO/2012/009639
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044191
Date du dépôt international 15.07.2011
CIB
H01L 21/302 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
C11D 11/0041
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0041Industrial or commercial equipment, e.g. reactors, tubes, engines
C11D 3/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
3Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
02Inorganic compounds ; ; Elemental compounds
04Water-soluble compounds
042Acids
G03F 7/42
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42Stripping or agents therefor
H01L 21/02063
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
0206during, before or after processing of insulating layers
02063the processing being the formation of vias or contact holes
H01L 21/02071
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02071the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
Déposants
  • ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810, US (AllExceptUS)
  • BARNES, Jeffrey [US/US]; US (UsOnly)
  • LIPPY, Steven [US/US]; US (UsOnly)
  • ZHANG, Peng [CN/US]; US (UsOnly)
  • RAJARAM, Rekha [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BARNES, Jeffrey; US
  • LIPPY, Steven; US
  • ZHANG, Peng; US
  • RAJARAM, Rekha; US
Mandataires
  • FUIERER, Tristan; Moore & Van Allen, PLLC P.O. Box 13706 Research Triangle Park, NC 27709, US
Données relatives à la priorité
61/365,03416.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) AQUEOUS CLEANER FOR THE REMOVAL OF POST-ETCH RESIDUES
(FR) NETTOYANT AQUEUX POUR L'ÉLIMINATION DE RÉSIDUS POST-GRAVURE
Abrégé
(EN)
Cleaning compositions and processes for cleaning post-plasma etch residue from a microelectronic device having said residue thereon. The composition achieves highly efficacious cleaning of the residue material, including titanium-containing, copper-containing, tungsten-containing, and/or cobalt-containing post-etch residue from the microelectronic device while simultaneously not damaging the interlevel dielectric, metal interconnect material, and/or capping layers also present thereon.
(FR)
Des compositions et des procédés de nettoyage servant à nettoyer des résidus post-gravure au plasma d'un dispositif microélectronique sur lequel se trouvent lesdits résidus. La composition accomplit un nettoyage très efficace des matériaux résiduels, comprenant des résidus de post-gravure contenant du titane, du cuivre, du tungstène et/ou du cobalt, sur le dispositif microélectronique sans endommager simultanément le diélectrique entre niveaux, le matériau d'interconnexion métallique et/ou recouvrir les couches également présentes sur le dispositif microélectronique.
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