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1. WO2012009589 - CIRCUIT DE COMMANDE D'ÉCRITURE PROGRAMMABLE DESTINÉ À UNE MÉMOIRE STT-MRAM

Numéro de publication WO/2012/009589
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044094
Date du dépôt international 15.07.2011
CIB
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
CPC
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 2029/5006
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
5006Current
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
Déposants
  • QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US (AllExceptUS)
  • RAO, Hari M. [IN/US]; US (UsOnly)
  • KIM, Jung Pill [KR/US]; US (UsOnly)
  • LEE, Kangho [KR/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • RAO, Hari M.; US
  • KIM, Jung Pill; US
  • LEE, Kangho; US
Mandataires
  • TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US
Données relatives à la priorité
12/837,77916.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROGRAMMABLE WRITE DRIVER FOR STT-MRAM
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'ÉCRITURE PROGRAMMABLE DESTINÉ À UNE MÉMOIRE STT-MRAM
Abrégé
(EN)
A non-volatile memory structure comprises programmable write drivers for controlling drive strengths of write operations to storage elements. The memory structure comprises a storage element coupled to a bit line, a switching element coupled to the storage element, a source line and a word line, wherein the switching element is configured to change a logic state of the storage element. A first and a second write driver with programmable drive strengths are coupled to the bit line and source line respectively to enable control of drive strengths of write operations to the storage element.
(FR)
L'invention porte sur une structure de mémoire non volatile qui comprend des circuits de commande d'écriture programmables permettant de réguler les intensités de commande des opérations d'écriture dans des éléments de mémoire. Cette structure de mémoire comporte un élément de mémoire couplé à une ligne de bit (BL), un élément de commutation couplé à l'élément de mémoire, une ligne de source (SL) et une ligne de mot (WL), ledit élément de commutation étant conçu pour modifier un état logique de l'élément de mémoire. Un premier et un second circuit de commande d'écriture dont les intensités de commande sont programmables sont respectivement couplés à la ligne de bit et à la ligne de source afin de permettre la régulation des intensités de commande des opérations d'écriture dans l'élément de mémoire.
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