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Paramétrages

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1. WO2012009232 - PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT D'OBTENIR DES ÉLÉMENTS MAGNÉTIQUES DE JONCTION À EFFET TUNNEL QUI PRÉSENTENT DES COUCHES LIBRES STRATIFIÉES, ET MÉMOIRES UTILISANT DE TELS ÉLÉMENTS MAGNÉTIQUES

Numéro de publication WO/2012/009232
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/043413
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
G11B 5/39 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
H01F 10/3254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
H01F 10/3259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
3259Spin-exchange-coupled multilayers comprising at least a nanooxide layer [NOL], e.g. with a NOL spacer
H01F 10/3263
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3263the exchange coupling being symmetric, e.g. for dual spin valve, e.g. NiO/Co/Cu/Co/Cu/Co/NiO
Déposants
  • GRANDIS, INC. [US/US]; 1123 Cadillac Court Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
  • LOTTIS, Daniel [US/US]; US (UsOnly)
  • CHEN, Eugene Youjun [US/US]; US (UsOnly)
  • TANG, Xueti [CN/US]; US (UsOnly)
  • WATTS, Steven M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • LOTTIS, Daniel; US
  • CHEN, Eugene Youjun; US
  • TANG, Xueti; US
  • WATTS, Steven M.; US
Mandataires
  • MITCHELL, Janyce R.; Convergent Law Group LLP 475 N. Whisman Road, Suite 400 Mountain View, CA 94043, US
Données relatives à la priorité
12/941,03106.11.2010US
61/365,28116.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENTS HAVING LAMINATED FREE LAYERS AND MEMORIES USING SUCH MAGNETIC ELEMENTS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT D'OBTENIR DES ÉLÉMENTS MAGNÉTIQUES DE JONCTION À EFFET TUNNEL QUI PRÉSENTENT DES COUCHES LIBRES STRATIFIÉES, ET MÉMOIRES UTILISANT DE TELS ÉLÉMENTS MAGNÉTIQUES
Abrégé
(EN)
A method and system for providing a magnetic substructure usable in a magnetic device, as well as a magnetic element and memory using the substructure are described. The magnetic substructure includes a plurality of ferromagnetic layers and a plurality of nonmagnetic layers. The plurality of ferromagnetic layers are interleaved with the plurality of nonmagnetic layers. The plurality of ferromagnetic layers are immiscible with and chemically stable with respect to the plurality of nonmagnetic layers. The plurality of ferromagnetic layers are substantially free of a magnetically dead layer- producing interaction with the plurality of nonmagnetic layers. Further, the plurality of nonmagnetic layers induce a perpendicular anisotropy in the plurality of ferromagnetic layers. The magnetic substructure is configured to be switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic substructure.
(FR)
La présente invention se rapporte à un procédé et à un système permettant d'obtenir une sous-structure magnétique qui peut être utilisée dans un dispositif magnétique, ainsi qu'à un élément magnétique et à une mémoire qui utilisent la sous-structure. La sous-structure magnétique comprend une pluralité de couches ferromagnétiques et une pluralité de couches non magnétiques. La pluralité de couches ferromagnétiques sont intercalées avec la pluralité de couches non magnétiques. La pluralité de couches ferromagnétiques ne sont pas miscibles avec la pluralité de couches non magnétiques et sont chimiquement stables par rapport à la pluralité de couches non magnétiques. La pluralité de couches ferromagnétiques ne présentent sensiblement aucune interaction produisant des couches magnétiquement mortes avec la pluralité de couches non magnétiques. En outre, la pluralité de couches non magnétiques induisent une anisotropie perpendiculaire sur la pluralité de couches ferromagnétiques. La sous-structure magnétique est configurée pour pouvoir être commutée entre une pluralité d'états magnétiques stables lorsqu'un courant d'écriture traverse la sous-structure magnétique.
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