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Paramétrages

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1. WO2012009212 - NANOFILS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION

Numéro de publication WO/2012/009212
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/043314
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
B82B 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B82B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
3Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
B82Y 40/00 2011.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40Fabrication ou traitement des nanostructures
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 19/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
C01B 19/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
007Tellurides or selenides of metals
C01P 2002/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
30Three-dimensional structures
Déposants
  • BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street Austin, TX 78701, US (AllExceptUS)
  • KORGEL, Brian, A. [US/US]; US (UsOnly)
  • STEINHAGEN, Chet [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KORGEL, Brian, A.; US
  • STEINHAGEN, Chet; US
Mandataires
  • HATHCOCK, Kevin, W.; Ballard Spahr LLP 999 Peachtree Street Suite 1000 Atlanta, GA 30309, US
Données relatives à la priorité
61/363,48412.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NANOWIRES AND METHODS OF MAKING AND USING
(FR) NANOFILS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION
Abrégé
(EN)
Nanorod and nanowire compositions are disclosed comprising copper indium selenide, copper indium gallium selenide, copper indium sulfide, or a combination thereof. Also disclosed are photovoltaic devices comprising the nanorod and/or nanowire compositions. Also disclosed are methods for producing the nanorod and nanowire compositions, and photovoltaic devices described herein.
(FR)
La présente invention concerne des compositions de nanobâtonnets et de nanofils comprenant du séléniure de cuivre-indium, du séléniure de cuivre-indium-gallium, du sulfure de cuivre-indium ou une combinaison de ces éléments. La présente invention concerne également des dispositifs photovoltaïques comprenant les compositions de nanobâtonnets et/ou de nanofils. La présente invention concerne en outre des procédés pour produire les compositions de nanobâtonnets et de nanofils, ainsi que des dispositifs photovoltaïques.
Également publié en tant que
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