Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012008555 - DISPOSITIFS À PARTICULES DE SILICIUM AYANT SUBI UN TRAITEMENT COLLOÏDAL ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS DE PARTICULES DE SILICIUM AYANT SUBI UN TRAITEMENT COLLOÏDAL

Numéro de publication WO/2012/008555
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066166
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 21/208 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
208en utilisant un dépôt liquide
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/0248 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
CPC
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02601
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02601Nanoparticles
H01L 21/02628
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02623Liquid deposition
02628using solutions
H01L 33/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
18within the light emitting region
Déposants
  • SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
  • HUANG, Jiandong; null (UsOnly)
  • TANG, Liang; null (UsOnly)
  • ZHAN, Changqing; null (UsOnly)
  • TU, Chang-Ching; null (UsOnly)
Inventeurs
  • HUANG, Jiandong; null
  • TANG, Liang; null
  • ZHAN, Changqing; null
  • TU, Chang-Ching; null
Mandataires
  • HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité
12/835,97414.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COLLOIDAL-PROCESSED SILICON PARTICLE DEVICES AND METHODS FOR FORMING COLLOIDAL-PROCESSED SILICON PARTICLE DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À PARTICULES DE SILICIUM AYANT SUBI UN TRAITEMENT COLLOÏDAL ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS DE PARTICULES DE SILICIUM AYANT SUBI UN TRAITEMENT COLLOÏDAL
Abrégé
(EN)
Colloidal-processed Si particle devices, device fabrication, and device uses have been presented. The generic device includes a substrate, a first electrode overlying the substrate, a second electrode overlying the substrate, laterally adjacent the first electrode, and separated from the first electrode by a spacing. A colloidal-processed Si particle layer overlies the first electrode, the second electrode, and the spacing between the electrodes. The Si particle layer includes a first plurality of nano-sized Si particles and a second plurality of micro-sized Si particles.
(FR)
L'invention porte sur des dispositifs de particules de Si ayant subi un traitement colloïdal, sur la fabrication de ces dispositifs, et sur des utilisations de ces dispositifs. Le dispositif générique comprend un substrat, une première électrode située au-dessus du substrat, une deuxième électrode s'étendant sur le substrat, en étant latéralement adjacente à la première électrode, et en étant séparée de la première électrode par un espace. Une couche de particules de Si ayant subi un traitement colloïdal s'étend sur la première électrode, la deuxième électrode et l'espace entre les électrodes. La couche de particules de Si comprend une première pluralité de particules de Si nanométriques, et une deuxième pluralité de particules de Si nanométriques.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international