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Paramétrages

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1. WO2012008545 - PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM

Numéro de publication WO/2012/008545
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066146
Date du dépôt international 14.07.2011
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
C30B 19/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
02en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants
H01L 21/208 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
208en utilisant un dépôt liquide
CPC
C30B 19/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
02using molten solvents, e.g. flux
04the solvent being a component of the crystal composition
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 9/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
04by cooling of the solution
06using as solvent a component of the crystal composition
C30B 9/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
04by cooling of the solution
08using other solvents
10Metal solvents
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
Déposants
  • 住友金属鉱山株式会社 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区新橋5丁目11番3号 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP (AllExceptUS)
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
  • 福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 安達 正芳 ADACHI, Masayoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田中 明和 TANAKA, Akikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 前田 一夫 MAEDA, Kazuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki; JP
  • 安達 正芳 ADACHI, Masayoshi; JP
  • 田中 明和 TANAKA, Akikazu; JP
  • 前田 一夫 MAEDA, Kazuo; JP
Mandataires
  • 小池 晃 KOIKE, Akira; 東京都中央区明石町8番1号 聖路加タワー32階 32F, St. Luke's Tower, 8-1, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Données relatives à la priorité
2010-15997314.07.2010JP
2011-01277025.01.2011JP
2011-05041508.03.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
(JA) 窒化アルミニウム結晶の製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a method for producing inexpensive, good-quality aluminum nitride crystals. Nitrogen gas is introduced to a Ga-Al alloy molten liquid (4) and aluminum nitride crystals are subjected to epitaxial growth on a seed crystal substrate (3) in the Ga-Al alloy molten liquid (4). The GaN is decomposed into metal Ga and nitrogen gas by bringing the aluminum nitride crystal growth temperature to within a range of 1,000ºC to 1,500ºC.
(FR)
La présente invention concerne un procédé pour produire des cristaux de nitrure d'aluminium économiques, de bonne qualité. Du gaz d'azote est introduit dans un liquide fondu d'alliage Ga-Al (4) et des cristaux de nitrure d'aluminium sont soumis à une croissance épitaxiale sur un substrat de cristal de grain (3) dans le liquide fondu d'alliage Ga-Al (4). GaN est décomposé en métal de Ga et gaz d'azote en amenant la température de croissance de cristal de nitrure d'aluminium dans une plage de 1 000 ºC à 1 500 ºC.
(JA)
 安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。Ga-Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga-Al合金融液4中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を1000℃以上1500℃以下の範囲とすることにより、GaNを金属Gaと窒素ガスに分解させる。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international