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1. WO2012008439 - PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS

Numéro de publication WO/2012/008439
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065868
Date du dépôt international 12.07.2011
CIB
H01L 21/677 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
CPC
H01L 21/67201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67201characterized by the construction of the load-lock chamber
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
H01L 21/67389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
673using specially adapted carriers ; or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
6735Closed carriers
67389characterised by atmosphere control
H01L 21/6773
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67703between different workstations
6773Conveying cassettes, containers or carriers
H01L 21/67781
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67763the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
67778involving loading and unloading of waers
67781Batch transfer of wafers
Déposants
  • SPPテクノロジーズ株式会社 SPP Technologies Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都中央区晴海一丁目8番11号 オフィスタワーY8階 Office Tower Y 8F, 8-11 Harumi 1-Chome, Chuo-ku, Tokyo, 1046108, JP (AllExceptUS)
  • 中筋 延幸 NAKASUJI, Nobuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中瀬 俊彦 NAKASE, Toshihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 中筋 延幸 NAKASUJI, Nobuyuki; JP
  • 村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi; JP
  • 中瀬 俊彦 NAKASE, Toshihiko; JP
Mandataires
  • 村上 智司 MURAKAMI, Satoshi; 大阪府大阪市北区西天満二丁目6番8号 堂島ビルヂング7階 Dojima Building, 7th Floor, 6-8 Nishitemma 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
Données relatives à la priorité
2010-15837013.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 基板処理方法及び基板処理システム
Abrégé
(EN)
Provided are a substrate processing method and a substrate processing system with which the contamination of substrates to be processed (K) in a load-lock chamber (10) with organic material can be prevented at low cost, and can be more fully prevented. The substrate processing method is composed of: a preparation step in which, once a plurality of substrates to be processed (K) have been placed in a cassette (80) and loaded into the load-lock chamber (10), the pressure is reduced while supplying a purge gas; and a processing step in which a transport mechanism in a transport chamber connected to the load-lock chamber (10) takes out the substrates to be processed (K) in the cassette (80), transports the substrates to be processed (K) to a processing chamber to be processed, takes out the processed substrates (K) from the processing chamber, and then places the substrates (K) in the cassette (80) in the load-lock chamber (10). In the preparation step, the supply position of the purge gas is set to a position above the cassette (80), the discharge position is set to a position below the cassette (80), and the cassette (80) is mounted between the supply position and the discharge position. The entire top surface of the top level substrate to be processed (K) placed in the cassette (80) is covered by a cover disposed thereabove. Furthermore, in the preparation step, when the pressure in the load-lock chamber (10) reaches a first reference pressure, the supply and discharge of purge gas to and from the load-lock chamber (10) is stopped, and when the pressure reaches a second reference pressure, the supply and discharge of purge gas to and from the load-lock chamber (10) is restarted.
(FR)
L'invention porte sur un procédé et un système de traitement de substrats qui permettent d'empêcher, pour un faible coût et de façon améliorée, la contamination de substrats (K) devant être traités à l'aide d'une matière organique dans un sas de chargement (10). Le procédé de traitement de substrats selon l'invention comprend : une étape de préparation lors de laquelle, une fois qu'une pluralité de substrats à traiter (K) ont été placés dans une cassette (80) et chargés dans le sas de chargement (10), on réduit la pression tout en introduisant un gaz de purge; et une étape de traitement lors de laquelle un mécanisme de transport situé dans une chambre de transport reliée au sas de chargement (10) retire les substrats à traiter (K) placés dans la cassette (80), les transporte vers une chambre de traitement où ils seront traités, retire les substrats traités (K) de la chambre de traitement et place ensuite les substrats (K) placés dans la cassette (80) dans le sas de chargement (10). Lors de l'étape de préparation, la position d'alimentation du gaz de purge est réglée dans une position située au-dessus de la cassette (80), la position de décharge est réglée dans une position située en-dessous de la cassette (80), et la cassette (80) est montée entre la position d'alimentation et la position de décharge. Toute la surface supérieure du substrat du niveau supérieur à traiter (K) placé dans la cassette (80) est recouverte d'un couvercle déposé par-dessus ladite surface. En outre, lors de l'étape de préparation, lorsque la pression à l'intérieur du sas de chargement (10) atteint une première pression de référence, l'alimentation du sas de chargement (10) en gaz de purge et la décharge du gaz de purge depuis le sas de chargement (10) sont interrompues et lorsque la pression atteint une seconde pression de référence, l'alimentation du sas de chargement (10) en gaz de purge et la décharge du gaz de purge depuis le sas de chargement (10) redémarrent.
(JA)
 ロードロック室(10)内における被処理基板(K)の有機物汚染を低コストで防止でき、また、より完全に防止し得る基板処理方法及び基板処理システムを提供する。 複数の被処理基板(K)をカセット(80)内に収納してロードロック室(10)内に格納した後、パージガスを供給しつつ減圧する準備工程と、ロードロック室(10)に連設された搬送室内の搬送機構により、カセット(80)内の被処理基板(K)を取り出し、処理室に搬送して被処理基板(K)を処理し、処理後の被処理基板(K)を処理室から取り出して、ロードロック室(10)内のカセット(80)に収納する処理工程とから構成される。準備工程では、パージガスの供給位置をカセット(80)の上方位置に、排気位置をカセット(80)の下方位置に設定し、カセット(80)を供給位置と排気位置との間に載置する。カセット(80)に収納される最上位の被処理基板(K)の上面全面を、その上方に設けたカバー体によって覆う。また、準備工程において、ロードロック室(10)内の圧力が第1基準圧力となったとき、ロードロック室(10)内へのパージガスの供給と排気を停止し、第2基準圧力となったとき、ロードロック室(10)内へのパージガスの供給と排気を再開する。
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