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Paramétrages

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1. WO2012008091 - DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES

Numéro de publication WO/2012/008091
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003392
Date du dépôt international 15.06.2011
CIB
H01J 37/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
20Moyens de support ou de mise en position de l'objet ou du matériau; Moyens de réglage de diaphragmes ou de lentilles associées au support
H01J 37/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
22Dispositifs optiques ou photographiques associés au tube
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 23/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
G01N 23/2204
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
22by measuring secondary emission from the material
2204Specimen supports therefor; Sample conveying means therefore
G01N 23/225
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
22by measuring secondary emission from the material
225using electron or ion
H01J 2237/0044
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
004Charge control of objects or beams
0041Neutralising arrangements
0044of objects being observed or treated
H01J 2237/2817
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
26Electron or ion microscopes
28Scanning microscopes
2813characterised by the application
2817Pattern inspection
H01J 37/265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
261Details
265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
Déposants
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP (AllExceptUS)
  • 加藤 達一 KATOU, Tatsuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高田 哲 TAKADA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 加藤 達一 KATOU, Tatsuichi; JP
  • 高田 哲 TAKADA, Satoshi; JP
Mandataires
  • 井上 学 INOUE, Manabu; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 株式会社 日立製作所内 c/o HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
Données relatives à la priorité
2010-16019615.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Abrégé
(EN)
Recently, size reduction and high integration are progressing in semiconductor manufacturing processes, so cases are increasing in which sites to be reviewed are closely spaced. The problem in such cases is that if a review is performed by using a conventional pre-charging technique, scans by a pre-charging electron beam are overlapped and a charged voltage on the surface of a sample exceeds a dielectric breakdown voltage, causing dielectric breakdown in the region where the scans by the electron beam are overlapped. The purpose of the present invention is to provide a defect review method for reducing the risk of dielectric breakdown and also provide a charged particle beam device. When reviewing a sample using a pre-charging technique, a plurality of images are captured after performing a charging control process once. In addition, the sites to be reviewed in an overlapped pre-charging scan region are grouped into groups on each of which a charging control is performed once and the charging control process is executed on each of the groups, thereby reducing the risk of dielectric breakdown.
(FR)
La diminution de la taille et la forte intégration ont beaucoup progressé au cours des dernières années dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs, cela ayant conduit à l'augmentation du nombre de sites faiblement espacés à examiner. Le problème posé dans ce cas est que si un examen est effectué en utilisant une technique de précharge classique, les balayages effectués par un faisceau d'électrons de précharge se chevauchent et la tension chargée à la surface d'un échantillon dépasse une tension de claquage diélectrique, cela provoquant un claquage diélectrique dans la région où les balayages effectués par les faisceaux d'électrons se chevauchent. Le but de la présente invention est de fournir un procédé d'examen des défauts permettant de réduire le risque de claquage diélectrique et de fournir également un dispositif générateur de faisceau de particules chargées. Lors de l'analyse d'un échantillon à l'aide d'une technique de précharge, une pluralité d'images sont acquises après exécution d'un seul processus de contrôle de la charge. De plus, les sites à examiner dans une région de balayage de précharge superposée sont regroupés en groupes sur chacun desquels un contrôle de charge est effectué une seule fois et le processus de contrôle de la charge est exécuté sur chacun des groupes, cela réduisant le risque de claquage diélectrique.
(JA)
 近年、半導体製造プロセスにおける微細化や高集積化が進み、観察対象箇所が密集している場合が増えている。このような場合に従来のプリチャージに関する技術を用いて観察を行うと、プリチャージによる電子ビームの走査が重複し、試料表面上の帯電電位が絶縁破壊限界電圧を超えてしまい、電子ビームの走査が重複した領域において絶縁破壊が引き起こされる。本発明は絶縁破壊の危険性を低減する欠陥観察方法、及び荷電粒子線装置を提供することを目的とする。 プリチャージに関する技術を用いて試料を観察する場合において、一度の帯電制御処理で複数の画像を撮像する。またプリチャージ走査領域が重複する観察対象箇所を、一度に帯電制御する観察対象箇所ごとのグループにグルーピングし、前記グループごとに帯電制御処理を実行することにより絶縁破壊の危険性を低減する。
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