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Paramétrages

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1. WO2012008072 - DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2012/008072
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/002238
Date du dépôt international 15.04.2011
CIB
H04N 5/335 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H04N 5/225 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
222Circuits de studio; Dispositifs de studio; Equipements de studio
225Caméras de télévision
CPC
H01L 27/14618
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14618Containers
H01L 27/14625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 27/14636
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14636Interconnect structures
H01L 27/14685
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14685Process for coatings or optical elements
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 31/0203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0203Containers; Encapsulations ; , e.g. encapsulation of photodiodes
Déposants
  • パナソニック株式会社 Panasonic Corporation [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 田制 隆 TASEI, Takashi; null (UsOnly)
  • 竹下 貴雄 TAKESHITA, Takao; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 田制 隆 TASEI, Takashi; null
  • 竹下 貴雄 TAKESHITA, Takao; null
Mandataires
  • 小栗 昌平 OGURI, Shohei; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 栄光特許事務所 Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité
2010-16179816.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé
(EN)
Disclosed is a solid-state image pickup device wherein a translucent substrate can be prevented from breaking at the time of mounting the translucent substrate on a printed wiring board. The solid-state image pickup device is provided with a solid-state image pickup element (5), a transparent glass substrate (1) having the solid-state image pickup element (5) mounted thereon, and a printed wiring board (9) having the transparent glass substrate (1) mounted thereon with a low-melting point solder ball (8) therebetween as a bonding member. The solid-state image pickup element (5) is disposed between the transparent glass substrate (1) and the printed wiring board (9), and an image pickup region (6) is disposed to face the transparent glass substrate (1).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs dans lequel on peut éviter qu'un substrat translucide se brise au moment de son montage sur une carte de circuit imprimé. Le dispositif de capture d'image à semi-conducteurs est équipé d'un élément de capture d'image à semi-conducteurs (5), d'un substrat en verre transparent (1) sur lequel est monté l'élément de capture d'image à semi-conducteurs (5), et d'une carte de circuit imprimé (9) sur laquelle est monté le substrat en verre transparent (1), une boule de soudure à point de fusion bas (8) étant disposée entre ledit substrat et ladite carte en tant qu'élément de liaison. L'élément de capture d'image à semi-conducteur (5) est disposé entre le substrat en verre transparent (1) et la carte de circuit imprimé (9), et une région de capture d'image (6) est disposée en regard du substrat en verre transparent (1).
(JA)
 透光性基板がプリント配線基板へ実装されるときに、透光性基板が破壊することを防止可能な固体撮像装置を提供する。 本固体撮像装置は、固体撮像素子5と、固体撮像素子5が実装される透明ガラス基板1と、透明ガラス基板1が接合部材としての低融点半田ボール8を介して実装されるプリント配線基板9と、備え、固体撮像素子5が、透明ガラス基板1とプリント配線基板9との間に配置され、撮像領域6が透明ガラス基板1に対向するように配置されている。
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