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Paramétrages

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1. WO2012008061 - CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM COMPRENANT UNE COUCHE DE DIFFUSION EN BORE, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/008061
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/068225
Date du dépôt international 08.10.2010
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/521
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
52Manufacturing of products or systems for producing renewable energy
521Photovoltaic generators
Déposants
  • シラクセル株式会社 SILUXEL CORPORATION [JP/JP]; 東京都江戸川区小松川3丁目12番2号 12-2, Komatsugawa 3-chome, Edogawa-ku, Tokyo 1320039, JP (AllExceptUS)
  • 上下 利男 JOGE, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 上下 利男 JOGE, Toshio; JP
Mandataires
  • 高田 幸彦 TAKADA, Yukihiko; 茨城県水戸市大町一丁目2番6号 2-6, O-machi 1-chome, Mito-shi, Ibaraki 3100062, JP
Données relatives à la priorité
2010-16192616.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON SOLAR CELL HAVING BORON DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM COMPRENANT UNE COUCHE DE DIFFUSION EN BORE, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Currently the most widespread Al-BSF type solar cell has a limitation in reducing the thickness thereof because of having a back surface Al electrode, resulting in a thickness of about 200 μm, and the conversion efficiency thereof is about 16 to 17 %. To reduce the manufacturing cost of the cell, further reduction in thickness and increase in efficiency are required. An SiO2 film and an SiNx film are formed on both surfaces of a silicon solar cell having an n+-p-p+ structure made by diffusing phosphorus and boron. A grid electrode is formed on a light receiving surface and a thin Al electrode having a large number of small openings is formed over the substantially entire back surface, thereby obtaining a B/Al-BSF type high-efficiency thin solar cell having an n+pp++ structure, in which a p++ layer forming a strong BSF is formed on the Al electrode portion.
(FR)
La présente invention porte sur une cellule solaire au silicium comprenant une couche de diffusion en bore, ainsi que son procédé de fabrication. Actuellement, la cellule solaire de type Al-BSF la plus répandue connaît une limite dans la réduction de son épaisseur parce qu'elle possède une électrode en Al sur la surface postérieure, ce qui donne une épaisseur d'environ 200 µm, et parce que son rendement de conversion est d'environ 16 à 17 %. Afin de réduire le coût de fabrication de la cellule, il est nécessaire d'obtenir une nouvelle réduction de l'épaisseur et une amélioration du rendement. Un film de SiO2 et un film de SiNx sont formés sur les deux surfaces d'une cellule solaire au silicium ayant une structure n+-p-p+ obtenue par diffusion de phosphore et de bore. Une électrode de grille est formée sur une surface recevant la lumière et une électrode mince en Al comprenant un grand nombre de petites ouvertures est formée sur sensiblement la totalité de la surface postérieure, ce qui donne une cellule solaire mince à haut rendement de type B/al-BSF, comprenant une structure n+pp++, dans laquelle une couche p++ formant un puissant BSF est formée sur la partie d'électrode d'Al.
(JA)
 現在最も普及しているAl-BSF形太陽電池セルは、裏面Al電極を有するため薄形化に限界があり200μm程度となっており、その変換効率は16~17%程度である。セルの製造コストを低減するための更なる薄形化と高効率化が課題となっている。 リン拡散及びボロン拡散によって作製したn+‐p‐p+構造を有するシリコン太陽電池セルの両面にSiO2膜及びSiNx膜を形成し、受光面にグリッド電極、裏面に小さな多数の開口部を有する薄いAl電極をほぼ全面に亘って形成することによって当該Al電極部に強いBSFとなるp++層を形成したことを特徴とするn+pp++ B/Al-BSF形の薄形高効率太陽電池セル。
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