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Paramétrages

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1. WO2012007404 - DISPOSITIF DE CONTRÔLE DE LA QUALITÉ DE MICROSTRUCTURATION D'UNE SURFACE

Numéro de publication WO/2012/007404
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/061699
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
G01N 21/956 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956Inspection de motifs sur la surface d'objets
CPC
G01B 11/24
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
24for measuring contours or curvatures
G01B 11/303
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
30for measuring roughness or irregularity of surfaces
303using photoelectric detection means
G01N 21/4788
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
4788Diffraction
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27 c 80686 München, DE (AllExceptUS)
  • MEYER, Udo [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • MARKUS, Susanne [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • DIECKHOFF, Stefan [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • MEYER, Udo; DE
  • MARKUS, Susanne; DE
  • DIECKHOFF, Stefan; DE
Mandataires
  • EISENFÜHR SPEISER & PARTNER; Postfach 10 60 78 28060 Bremen, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 031 227.412.07.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VORRICHTUNG ZUR PRÜFUNG VON MIKROSTRUKTURIERUNGSQUALITÄT
(EN) APPARATUS FOR CHECKING MICROSTRUCTURING QUALITY
(FR) DISPOSITIF DE CONTRÔLE DE LA QUALITÉ DE MICROSTRUCTURATION D'UNE SURFACE
Abrégé
(DE)
Beschrieben wird eine Vorrichtung zur Prüfung von Mikrostrukturierungsqualität einer Oberfläche (2) bei bekannter Zielmikrostrukturierungsqualität, umfassend eine Strahlungsquelle (1) für kohärente Strahlung, einen ersten Detektor (10) und einen zweiten Detektor (4) undeine Maskierung, die so eingerichtet und zueinander angeordnet sind, dass (a)von der Strahlungsquelle (1) auf eine Oberfläche (2), die mit einer Mikrostrukturierung in Zielqualität versehen ist, ausgesendete Strahlung ein Beugungsmuster ergibt, (b) das Beugungsmaximum der Ordnung n des Beugungsmusters ohne die Maskierung auf den ersten Detektor (10) fallen würde, (c) die Maskierung ≥80 % der Strahlungsquanten, die dem Beugungsmaximum der Ordnung n zuzuordnen sind, am Auftreffen auf den Detektor hindert und (d) das Beugungsmaximum der Ordnung a des Beugungsmusters auf den zweiten Detektor (4) fällt, wobei n Ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 und a Ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 und a ≠ n ist. Beschrieben werden auch entsprechende Verfahren sowie Verwendungen.
(EN)
The invention describes an apparatus for checking the microstructuring quality of a surface (2) for a known target microstructuring quality, comprising a radiation source (1) for coherent radiation, a first detector (10) and a second detector (4) and a mask which are set up and arranged with respect to one another in such a manner that (a) radiation emitted by the radiation source (1) onto a surface (2) provided with microstructuring of the target quality results in a diffraction pattern, (b) the n-order diffraction maximum of the diffraction pattern without the mask would impinge on the first detector (10), (c) the mask prevents ≥80% of the radiation quanta, which can be associated with the n-order diffraction maximum, impinging on the detector and (d) the a-order diffraction maximum of the diffraction pattern impinges on the second detector (4), where n is selected from the group consisting of 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 and a is selected from the group consisting of 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 and 10 and a ≠ n. Corresponding methods and uses are also described.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de contrôle de la qualité de microstructuration d'une surface (2) en cas de qualité de microstructuration cible connue, lequel dispositif comprend une source de rayonnement (1) émettant un rayonnement cohérent, un premier détecteur (10), un second détecteur ((4) et un masquage qui sont orientés et agencés les uns par rapport aux autres de telle manière que a) le rayonnement émis par la source de rayonnement (1) sur une surface (2), qui est munie d'une microstructuration de la qualité cible, produit un diagramme de diffraction, b) en l'absence du masquage, le maximum de la diffraction de l'ordre n du diagramme de diffraction tomberait sur le premier détecteur (10), c) le masquage empêche ≥ 80 % des quanta du rayonnement qui sont à affecter au maximum de diffraction de l'ordre n d'atteindre le détecteur et d) le maximum de la diffraction de l'ordre a du diagramme de diffraction tombe sur le second détecteur (4), n étant sélectionné dans le groupe constitué de 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 et 10, a étant sélectionné dans le groupe constitué de 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 et 10, et a étant différent de n. L'invention concerne également des procédés et des utilisations correspondant audit dispositif.
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