Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012007271 - DISPOSITIF SUPPORT POUR UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN DISPOSITIF SUPPORT ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN DISPOSITIF SUPPORT

Numéro de publication WO/2012/007271
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060742
Date du dépôt international 27.06.2011
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01L 31/0203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0203Conteneurs; Encapsulations
H01L 23/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
10caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
48227connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/85444
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
85using a wire connector
8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
85399Material
854with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
85438the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
85444Gold (Au) as principal constituent
H01L 2224/85455
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
85using a wire connector
8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
85399Material
854with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
85438the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
85455Nickel (Ni) as principal constituent
H01L 2224/85464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
85using a wire connector
8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
85399Material
854with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
85463the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
85464Palladium (Pd) as principal constituent
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • ZEILER, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KHONG, Lai, Sham [MY/MY]; MY (UsOnly)
Inventeurs
  • ZEILER, Thomas; DE
  • KHONG, Lai, Sham; MY
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
102010027313.916.07.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) TRÄGERVORRICHTUNG FÜR EINEN HALBLEITERCHIP MIT EINER LÖTMITTELBARRIERE GEGEN LÖTMITTELKRIECHEN, ELEKTRONISCHES BAUELEMENT DAMIT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT DAMIT
(EN) CARRIER DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR CHIP WITH A SOLDER BARRIER AGAINST SOLDER CREEP, ELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT PROVIDED THEREWITH
(FR) DISPOSITIF SUPPORT POUR UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN DISPOSITIF SUPPORT ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN DISPOSITIF SUPPORT
Abrégé
(DE)
Es wird eine Trägervorrichtung für einen Halbleiterchip (3) mit einem bondbaren und/oder lötbaren metallischen Träger (1) mit einem Montagebereich (21) für den Halbleiterchip (3) und einem Lötbereich (20) angegeben, wobei der Träger (1) zumindest teilweise mit einem Abdeckmaterial (2) bedeckt ist und wobei zwischen dem Lötbereich (20) und dem Montagebereich (21) an einer Grenzfläche (10) zwischen dem Träger (1) und dem Abdeckmaterial (2) eine Lötmittelbarriere (4) angeordnet ist. Durch die Lötmittelbarriere (4) kann ein Kriechen eines Lötmittels vom Lötbereich (20) zum Montagebereich (21) entlang der Grenzfläche (10) vermindert oder sogar ganz verhindert werden. Weiterhin werden ein elektronisches Bauelement und ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
(EN)
A carrier device for a semiconductor chip (3) comprising a bondable and/or solderable metallic carrier (1) having a mounting region (21) for the semiconductor chip (3) and a soldering region (20) is specified, wherein the carrier (1) is at least partly covered with a covering material (2), and wherein a solder barrier (4) is arranged between the soldering region (20) and the mounting region (21) at an interface (10) between the carrier (1) and the covering material (2). Creep of a solder from the solder region (20) to the mounting region (21) along the interface can be reduced or totally prevented due to the solder barrier. An electronic component and an optoelectronic component are furthermore specified.
(FR)
L'invention concerne un dispositif support pour une puce semi-conductrice (3) comportant un support métallique (1) pouvant être métallisé et/ou soudé, présentant une zone de montage (21) pour la puce semi-conductrice (3) et une zone de soudage (20). Le support (1) est au moins partiellement recouvert d'un matériau de recouvrement (2). Une barrière pour métal d'apport (4) est disposée entre la zone de soudage (20) et la zone de montage (21) sur une interface (10) entre le support (1) et le matériau de recouvrement (2). L'invention concerne également un composant électronique et un composant optoélectronique.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international