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Paramétrages

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1. WO2012007191 - SYSTÈME PERMETTANT UN TRAITEMENT AUTOMATIQUE DE PLAQUES-MÈRES ET D'UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2012/007191
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/055054
Date du dépôt international 31.03.2011
CIB
C25D 19/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Installations pour opérer un revêtement électrolytique
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
C25D 5/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
02Dépôt sur des surfaces déterminées
C25D 7/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
12Semi-conducteurs
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
CPC
C25D 5/022
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
02Electroplating of selected surface areas
022using masking means
C25D 7/123
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
123coated first with a seed layer, e.g. for filling vias
H01L 21/6723
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67207comprising a chamber adapted to a particular process
6723comprising at least one plating chamber
Déposants
  • CENTRE DE RECHERCHE PUBLIC – GABRIEL LIPPMANN [LU/LU]; 41, rue du Brill L-4422 Belvaux, LU (AllExceptUS)
  • MÖLLER, Patrik [SE/SE]; SE (UsOnly)
  • FREDENBERG, Mikael [SE/SE]; SE (UsOnly)
Inventeurs
  • MÖLLER, Patrik; SE
  • FREDENBERG, Mikael; SE
Mandataires
  • LECOMTE & PARTNERS SARL; P.O. Box 1623 L-1016 Luxembourg, LU
Données relatives à la priorité
1050795-215.07.2010SE
61/364,98916.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEM FOR AUTOMATED HANDLING OF MASTERS AND SUBSTRATE
(FR) SYSTÈME PERMETTANT UN TRAITEMENT AUTOMATIQUE DE PLAQUES-MÈRES ET D'UN SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
An integrated Electro Chemical Pattern Replication (ECPR) system (500) for performing electrochemical printing of nano or micro structures with an ECPR master on a conductive surface of a substrate is disclosed. By scheduling the operation of a robot unit (516) within a housing (534) of the integrated ECPR system, a considerable throughput of high quality printed substrates using a minimum amount of masters from the integrated ECPR system is enabled. Further advantages with the present invention over prior art, are a higher process repeatability and minimal variations, to mention a few.
(FR)
La présente invention se rapporte à un système intégré de réplication électrochimique de motifs (ECPR, Electro Chemical Pattern Replication) (500) permettant d'effectuer une impression électrochimique de nanostructures ou de microstructures avec une plaque-maître de réplication ECPR sur une surface conductrice d'un substrat. Par programmation du fonctionnement d'une unité robotisée (516) dans un boîtier (534) du système intégré de réplication ECPR, il est possible d'obtenir une importante capacité de traitement de substrats imprimés de haute qualité à l'aide d'une quantité minimale de plaques-mères provenant du système intégré de réplication ECPR. Les autres avantages de la présente invention par rapport à l'état de la technique sont, pour n'en citer que quelques-uns, une répétabilité plus importante du processus et des modifications minimes.
Également publié en tant que
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