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Paramétrages

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1. WO2012006806 - DISPOSITIF DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT PARTIELLEMENT APPAUVRI AVEC UNE STRUCTURE DE CONTACT DE CORPS

Numéro de publication WO/2012/006806
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/076703
Date du dépôt international 08.09.2010
CIB
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
H01L 21/266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
266using masks
H01L 29/42384
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42384for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
H01L 29/66575
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66568Lateral single gate silicon transistors
66575where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
H01L 29/7833
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7833with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
H01L 29/78612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78612for preventing the kink- or the snapback effect, e.g. discharging the minority carriers of the channel region for preventing bipolar effect
Déposants
  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国上海市长宁区长宁路865号 No.865, Changning Road Changning District Shanghai 200050, CN (AllExceptUS)
  • 陈静 CHEN, Jing [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 伍青青 WU, Qingqing [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 罗杰馨 LUO, Jiexin [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 黄晓橹 HUANG, Xiaolu [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 王曦 WANG, Xi [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 陈静 CHEN, Jing; CN
  • 伍青青 WU, Qingqing; CN
  • 罗杰馨 LUO, Jiexin; CN
  • 黄晓橹 HUANG, Xiaolu; CN
  • 王曦 WANG, Xi; CN
Mandataires
  • 上海光华专利事务所 J.Z.M.C PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 中国上海市杨浦区国定路335号5022室 Room 5022, No.335, GUODing Road YANG Pu District, Shanghai 200433, CN
Données relatives à la priorité
201010225638.713.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PARTIALLY-DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR DEVICE WITH BODY CONTACT STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT PARTIELLEMENT APPAUVRI AVEC UNE STRUCTURE DE CONTACT DE CORPS
(ZH) 一种具有体接触结构的PDSOI器件
Abrégé
(EN)
A partially-depleted silicon-on-insulator device with body contact structure is provided. The active region of the device comprises a gate region (80), a body region (70), an N type source region (50), an N type drain region (40), a body contact region (60) and a silicide (100), wherein the source region (50) and the drain region (40) are arranged on both sides on the front portion of the body region (70) respectively, the body contact region (60) is arranged on the rear portion of the body region (70) and paralleled with the source region (50), the silicide (100) is arranged on the body contact region (60) and the source region (50) and contacted with both of them, the gate region (80) on the body region (70) is L-shaped extending outward from the rear portion of the body region (70). Such structure could restrain the floating body effect, without increasing the chip's area, and simplify the process.
(FR)
L'invention concerne un dispositif du type silicium sur isolant partiellement appauvri avec une structure de contact de corps. La région active du dispositif comprend une région de grille (80), une région de corps (70), une région de source de type N (50), une région de drain de type N (40), une région de contact de corps (60) et un siliciure (100). La région de source (50) et la région de drain (40) sont respectivement disposées des deux côtés de la partie avant de la région de corps (70). La région de contact de corps (60) est disposée sur la partie arrière de la région de corps (70) et parallèlement à la région de source (50). Le siliciure (100) est disposé sur la région de contact de corps (60) et la région de source (50) et est en contact avec les deux. La région de grille (80) sur la région de corps (70) est en forme de L s'étendant vers l'extérieur depuis la partie arrière de la région de corps (70). Une telle structure permet de limiter l'effet de corps flottant sans augmenter la surface de puce, et simplifie le procédé.
(ZH)
一种具有体接触结构的部分耗尽绝缘体上硅器件,其有源区包括:栅区(80)、体区(70)、N型源区(50)、N型漏区(40)、体接触区(60)以及硅化物(100);源区(50)和漏区(40)分别位于体区(70)前部两侧,体接触区(60)位于体区(70)后部并与源区(50)并排,硅化物(100)位于体接触区(60)及源区(50)之上并同时与它们相接触,位于体区(70)之上的栅区(80)为L型,由体区(70)后部向外引出。如此结构能够有效抑制浮体效应,不增加芯片面积,工艺简单。
Également publié en tant que
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