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Paramétrages

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1. WO2012006471 - PROCÉDÉS ET SYSTÈMES DE CIRCUITS NEURONAUX À BASE DE MEMRISTANCES

Numéro de publication WO/2012/006471
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/043258
Date du dépôt international 07.07.2011
CIB
G06N 3/063 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
NSYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
3Systèmes de calculateurs basés sur des modèles biologiques
02utilisant des modèles de réseaux neuronaux
06Réalisation physique, c. à d. mise en oeuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurones
063utilisant des moyens électroniques
CPC
G06N 3/049
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
04Architectures, e.g. interconnection topology
049Temporal neural nets, e.g. delay elements, oscillating neurons, pulsed inputs
G06N 3/063
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
063using electronic means
G06N 3/0635
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
063using electronic means
0635using analogue means
G11C 11/54
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
54using elements simulating biological cells, e.g. neuron
G11C 13/0002
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
Déposants
  • QUALCOMM Incorporated [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US (AllExceptUS)
  • TANG, Yi [CN/US]; US (UsOnly)
  • RANGAN, Venkat [US/US]; US (UsOnly)
  • LEVIN, Jeffrey A. [US/US]; US (UsOnly)
  • VENKATRAMAN, Subramaniam [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • TANG, Yi; US
  • RANGAN, Venkat; US
  • LEVIN, Jeffrey A.; US
  • VENKATRAMAN, Subramaniam; US
Mandataires
  • PATEL, Rupit M.; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, Califonia 92121, US
Données relatives à la priorité
12/831,83107.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND SYSTEMS FOR MEMRISTOR-BASED NEURON CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉS ET SYSTÈMES DE CIRCUITS NEURONAUX À BASE DE MEMRISTANCES
Abrégé
(EN)
Certain embodiments of the present disclosure support techniques for designing neuron circuits based on memristors. Bulky capacitors as electrical current integrators can be eliminated and nanometer scale memristors can be utilized instead. Using the nanometer feature-sized memristors, the neuron hardware area can be substantially reduced.
(FR)
Certaines réalisations de la présente invention concernent des techniques permettant de concevoir des circuits neuronaux à base de memristances. De grands condensateurs tels que des intégrateurs de courant électrique peuvent être éliminés et remplacés par des memristances à échelle nanométrique. A l'aide des memristances de taille nanométrique, la zone matérielle neuronale peut être sensiblement réduite.
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