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Paramétrages

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1. WO2012005881 - PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR LE TRAITEMENT AU PLASMA RADIOFRÉQUENCE (RF)

Numéro de publication WO/2012/005881
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/040189
Date du dépôt international 13.06.2011
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H03H 7/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38Réseaux d'adaptation d'impédance
40Adaptation automatique de l'impédance de charge à l'impédance de la source
CPC
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/32183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
32183Matching circuits, impedance matching circuits per se H03H7/38 and H03H7/40
H01J 37/3299
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
3299Feedback systems
H03H 7/38
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
7Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
38Impedance-matching networks
H03H 7/46
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
7Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
46Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
  • KAWASAKI, Katsumasa [JP/US]; US (UsOnly)
  • LIAO, Bryan [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KAWASAKI, Katsumasa; US
  • LIAO, Bryan; US
Mandataires
  • TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, NJ 07702, US
Données relatives à la priorité
13/014,80727.01.2011US
61/360,14430.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND APPARATUS FOR RADIO FREQUENCY (RF) PLASMA PROCESSING
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR LE TRAITEMENT AU PLASMA RADIOFRÉQUENCE (RF)
Abrégé
(EN)
Methods and apparatus for minimizing reflected radio frequency (RF) energy are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a first RF energy source having frequency tuning to provide a first RF energy, a first matching network coupled to the first RF energy source, one or more sensors to provide first data corresponding to a first magnitude and a first phase of a first impedance of the first RF energy, wherein the first magnitude is equal a first resistance defined as a first voltage divided by a first current and the first phase is equal to a first phase difference between the first voltage and the first current, and a controller adapted to control a first value of a first variable element of the first matching network based upon the first magnitude and to control a first frequency provided by the first RF energy source based upon the first phase.
(FR)
L'invention concerne des procédés et des appareils permettant de minimiser l'énergie radiofréquence (RF) réfléchie. Dans certains modes de réalisation, un appareil peut comprendre une première source d'énergie RF ayant un dispositif de réglage de la fréquence afin de produire une première énergie RF, un premier réseau d'adaptation couplé à la première source d'énergie RF, un ou plusieurs capteurs destinés à fournir des premières données correspondant à une première amplitude et à une première phase d'une première impédance de la première énergie RF, la première amplitude étant égale à une première résistance définie comme étant une première tension divisée par un premier courant et la première phase étant égale à une première différence de phase entre la première tension et le premier courant, et une unité de commande apte à commander une première valeur d'un premier élément variable du premier réseau d'adaptation sur la base de la première amplitude et à commander une première fréquence fournie par la première source d'énergie RF sur la base de la première phase.
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