Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012005847 - PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR RÉDUIRE UN ÉVIDEMENT DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2012/005847
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/039226
Date du dépôt international 06.06.2011
CIB
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/3266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
H01L 21/31116
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325, JP (AllExceptUS)
  • KO, Akiteru [JP/US]; US (UsOnly)
  • COLE, Christopher [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KO, Akiteru; US
  • COLE, Christopher; US
Données relatives à la priorité
12/826,48829.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ETCH PROCESS FOR REDUCCING SILICON RECESS
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR RÉDUIRE UN ÉVIDEMENT DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
A method for selectively etching a substrate is described. The method includes disposing a substrate comprising a silicon nitride (SiNy) layer overlying silicon in a plasma etching system, and transferring a pattern to the silicon nitride layer using a plasma etch process, wherein the plasma etch process utilizes a process composition having as incipient ingredients a process gas containing C, H and F, and an additive gas including CO2. The method further includes: selecting an amount of the additive gas in the plasma etch process to achieve: (1 ) a silicon recess formed in the silicon having a depth less than 10 nanometers (nm), and (2) a sidewall profile in the pattern having an angular deviation from 90 degrees less than 2 degrees.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure sélective d'un substrat. Le procédé comprend les étapes consistant à : placer un substrat sur une couche de nitrure de silicium (SiNy) recouvrant du silicium dans un système de gravure par plasma, et transférer un motif sur la couche de nitrure de silicium au moyen d'un procédé de gravure par plasma. Le procédé de gravure par plasma utilise une composition de traitement qui comporte comme matières premières un gaz de traitement contenant C, H et F, et un gaz supplémentaire incluant du CO2. Le procédé comprend de plus étapes consistant à : sélectionner une quantité du gaz supplémentaire dans le procédé de gravure par plasma en vue de produire : (1) un évidement de silicium, formé dans le silicium et dont la profondeur est inférieure à 10 nanomètres (nm), et (2) un profil de paroi latérale dans le motif qui présente un écart angulaire inférieur à 2 degrés pour 90 degrés.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international