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Paramétrages

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1. WO2012005807 - SUBSTRAT EN ACIER INOXYDABLE REVÊTU

Numéro de publication WO/2012/005807
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/036007
Date du dépôt international 11.05.2011
CIB
B32B 15/18 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
15Produits stratifiés composés essentiellement de métal
18comportant du fer ou de l'acier
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/0392 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0392comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
C03C 3/064 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
3Compositions pour la fabrication du verre
04contenant de la silice
062avec moins de 40% en poids de silice
064contenant du bore
C03C 27/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
27Liaison de pièces de verre à des pièces en d'autres matériaux inorganiques; Liaison verre-verre par des procédés autres que la fusion
04Liaison verre-métal au moyen d'une couche intermédiaire
CPC
C03C 1/008
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
1Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
006to produce glass through wet route
008for the production of films or coatings
H01L 31/0392
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0392including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
H01L 31/03923
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0392including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
03923including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
H01L 31/03925
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0392including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
03925including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
541CuInSe2 material PV cells
Y02P 70/521
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
52Manufacturing of products or systems for producing renewable energy
521Photovoltaic generators
Déposants
  • E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, Delaware 19898, US (AllExceptUS)
  • BOUSSAAD, Salah [CA/US]; US (UsOnly)
  • FIGUEROA, Juan, Carlos [US/US]; US (UsOnly)
  • KEUP, Kenneth, C. [US/US]; US (UsOnly)
  • REARDON, Damien, Francis [CA/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BOUSSAAD, Salah; US
  • FIGUEROA, Juan, Carlos; US
  • KEUP, Kenneth, C.; US
  • REARDON, Damien, Francis; US
Mandataires
  • HALERZ, Traci, L.; E. I. du Pont de Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, Delaware 19805, US
Données relatives à la priorité
12/832,31508.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COATED STAINLESS STEEL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN ACIER INOXYDABLE REVÊTU
Abrégé
(EN)
The present disclosure relates to a method of manufacturing of a metal oxide and glass coated metal product. This invention also relates to a coated metallic substrate material that is suitable for manufacturing flexible solar cells and other articles in which a passivated stainless steel surface is desirable.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un oxyde métallique et d'un produit métallique revêtu de verre. Cette invention concerne également un matériau de substrat métallique revêtu qui est approprié pour la fabrication de cellules solaires souples et d'autres articles dans lesquels une surface en acier inoxydable passivé est souhaitable.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international