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Paramétrages

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1. WO2012005459 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE PYRAMIDE DE MGO ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/005459
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2011/004592
Date du dépôt international 23.06.2011
CIB
H01L 33/28 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
28contenant uniquement des éléments du groupe II et du groupe VI de la classification périodique
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
CPC
H01L 2933/0058
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0058relating to optical field-shaping elements
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
Déposants
  • 서울옵토디바이스(주) SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 원시동 727-5 1B-36 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851, KR (AllExceptUS)
  • 포항공과대학교 산학협력단 POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; 경상북도 포항시 남구 효자동 산31 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology San 31, Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang-si Gyeongsangbuk-do 790-784, KR (AllExceptUS)
  • 이종람 LEE, Jong Lam [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 손준호 SON, Jun Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 유학기 YU, Hak Ki [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • 이종람 LEE, Jong Lam; KR
  • 손준호 SON, Jun Ho; KR
  • 유학기 YU, Hak Ki; KR
Mandataires
  • AIP특허법인 법률사무소 AIP PATENT & LAW FIRM; 서울특별시 강남구 역삼동 823-14 신원빌딩 8층 Shinwon Building. 8F 823-14, Yeoksam-dong, Kangnam-gu Seoul 135-933, KR
Données relatives à la priorité
10-2010-006602108.07.2010KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING AN MGO PYRAMID STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE PYRAMIDE DE MGO ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) MGO피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a light-emitting device having a gallium nitride-based group III-V compound semiconductor and a manufacturing method for same. The light-emitting device having a gallium nitride-based group III-V compound semiconductor comprises: a substrate; a p-type ohmic electrode layer formed on the substrate; a p-type gallium nitride-based group III-V compound semiconductor layer formed on the p-type ohmic electrode layer; an n-type gallium nitride-based group III-V compound semiconductor layer formed on the p-type gallium nitride-based group III-V compound semiconductor layer; an n-type ohmic electrode layer formed on the n-type gallium nitride-based group III-V compound semiconductor layer; and first and second refractive index control layers which have refractive indices less than those of the n-type gallium nitride-based group III-V compound semiconductor layer and the n-type ohmic electrode layer, and the pyramid structure is formed on the surface of the second refractive index control layer. According to one embodiment of the present invention, the first and second refractive index control layers can be included in the upper portion of the light-emitting device having a gallium nitride-based group III-V compound semiconductor, and the pyramid structure can be formed in the second refractive index control layer, thereby increasing the surface light outputted by one and half times more than that of typical light-emitting diodes.
(FR)
La présente invention a trait à un dispositif électroluminescent doté d'un semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium et à son procédé de fabrication. Le dispositif électroluminescent doté d'un semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium comprend : un substrat ; une couche d'électrode ohmique de type P qui est formée sur le substrat ; une couche de semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium de type P qui est formée sur la couche d'électrode ohmique de type P ; une couche de semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium de type N qui est formée sur la couche de semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium de type P ; une couche d'électrode ohmique de type N qui est formée sur la couche de semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium de type N ; et des première et seconde couches de contrôle d'indice de réfraction qui sont dotées d'indices de réfraction inférieurs à ceux de la couche de semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium de type N et de la couche d'électrode ohmique de type N, la structure de pyramide étant formée sur la surface de la seconde couche de contrôle d'indice de réfraction. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les première et seconde couches de contrôle d'indice de réfraction peuvent être incluses dans la partie supérieure du dispositif électroluminescent doté d'un semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium, et la structure de pyramide peut être formée dans la seconde couche de contrôle d'indice de réfraction, ce qui permet de la sorte de multiplier la lumière de surface fournie par une fois et demie par rapport à celle de diodes électroluminescentes classiques.
(KO)
본 발명은 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 p형 오믹 전극층 상부에 형성된 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 상기 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 및 상기 n형 오믹 전극층보다 굴절율이 작은 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하며, 상기 제 2 굴절율 조절층 표면에 피라미드구조물이 형성된 것을특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자의 상부에 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하고, 상기 제 2 굴절율 조절층에 파리미드 구조를 형성하는 경우, 종래의 발광다이오드에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 1.5배 이상 증가할 수 있다.
Également publié en tant que
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