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Paramétrages

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1. WO2012005289 - PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ET SOLUTION DE POLISSAGE UTILISÉE DANS LEDIT PROCÉDÉ

Numéro de publication WO/2012/005289
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065476
Date du dépôt international 06.07.2011
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B24B 37/00 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
CPC
B24B 37/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
B24B 37/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
08for double side lapping
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
H01L 21/30625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Déposants
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
  • 谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 緒方 晋一 OGATA Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 後藤 勇 GOTOU Isamu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山下 健児 YAMASHITA Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 浅利 昌弘 ASARI Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
  • 緒方 晋一 OGATA Shinichi; JP
  • 後藤 勇 GOTOU Isamu; JP
  • 山下 健児 YAMASHITA Kenji; JP
  • 浅利 昌弘 ASARI Masahiro; JP
Mandataires
  • 安倍 逸郎 ABE Itsurou; 福岡県北九州市小倉北区堺町1丁目9-6 コンプレート堺町ビル403号 安倍国際特許事務所 ABE International Patent Office, Complete Sakaimachi BLDG. 403, 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8020005, JP
Données relatives à la priorité
2010-15532908.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR POLISHING SILICON WAFER, AND POLISHING SOLUTION FOR USE IN THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ET SOLUTION DE POLISSAGE UTILISÉE DANS LEDIT PROCÉDÉ
(JA) シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液
Abrégé
(EN)
A surface to be polished of a silicon wafer is roughly polished while supplying a polishing solution prepared by adding a water-soluble polymer to an aqueous alkaline solution of abrasive grains to a hard polishing cloth. Therefore, the polishing at a high polishing rate and the roll-off of the outer peripheral part of the wafer can be achieved simultaneously.
(FR)
Une surface à polir d'une tranche de silicium est grossièrement polie en utilisant une solution de polissage préparée en ajoutant un polymère soluble dans l'eau à une solution alcaline aqueuse de grains abrasifs pour former une toile à polir dure. En conséquence, il est possible d'atteindre une vitesse de polissage élevée et d'effectuer simultanément l'élimination de la partie périphérique extérieure de la tranche.
(JA)
 有砥粒のアルカリ性水溶液に水溶性高分子を添加した研磨液を、硬質の研磨布に供給しながらシリコンウェーハの被研磨面を粗研磨するので、高い研磨レートでの研磨とウェーハ外周部のロールオフとを同時に満足できる。
Également publié en tant que
DE112011102297
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