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Paramétrages

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1. WO2012005215 - TRANCHE ÉPITAXIALE POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES

Numéro de publication WO/2012/005215
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065284
Date du dépôt international 04.07.2011
CIB
H01L 33/30 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 33/12 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
12ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
CPC
A01G 7/045
AHUMAN NECESSITIES
01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
GHORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
7Botany in general
04Electric or magnetic ; or acoustic; treatment of plants for promoting growth
045with electric lighting
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
Y02P 60/149
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
60Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
10Agricultural machinery or equipment
14Measures for saving energy
146in greenhouses
149Efficient lighting, e.g. LED lighting
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
  • 瀬尾 則善 SEO Noriyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松村 篤 MATSUMURA Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 瀬尾 則善 SEO Noriyoshi; JP
  • 松村 篤 MATSUMURA Atsushi; JP
  • 竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi; JP
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Données relatives à la priorité
2010-15420206.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EPITAXIAL WAFER FOR LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
(JA) 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
Abrégé
(EN)
Disclosed is an epitaxial wafer for light-emitting diodes, wherein the peak light-emitting wavelength is 655 nm or more and it is possible to improve reliability. Specifically disclosed is an epitaxial wafer for light-emitting diodes which is provided with a GaAs substrate (1) and a pn-junction type light-emitting unit (2) disposed on the GaAs substrate (1), wherein the light-emitting unit (2) is formed as a laminate structure in which a distortion light emitting layer and a barrier layer are alternately laminated, and the compositional formula of the barrier layer is (AlxGa1-xYIn1-YP (0.3≤X≤0.7, 0.51≤Y≤0.54).る。
(FR)
L'invention concerne une tranche épitaxiale pour diodes électroluminescentes, dans laquelle la longueur d'onde d'émission lumineuse de crête est supérieure ou égale à 655 nm, et dont la fiabilité est améliorée. L'invention concerne spécifiquement une tranche épitaxiale pour diodes électroluminescentes, qui comprend un substrat de GaAs (1) et une unité (2) électroluminescente du type à jonction pn, placée sur le substrat de GaAs (1). L'unité (2) électroluminescente est formée comme une structure stratifiée, dans laquelle une couche d'émission lumineuse de distorsion et une couche barrière sont stratifiées en alternance, la formule de composition de la couche barrière étant: (AlxGa1-xYIn1-YP(0,3≤X≤0,7, 0,51≤Y≤0,54).る。
(JA)
ピーク発光波長が655nm以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。GaAs基板(1)と、GaAs基板(1)上に設けられたpn接合型の発光部(2)と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部(2)は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を(AlGa1-XIn1-YP(0.3≦X≦0.7、0.51≦Y≦0.54)とする。
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