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Paramétrages

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1. WO2012005011 - DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2012/005011
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003940
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/363 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
357Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
363appliqué au bruit de réinitialisation, p.ex. bruit de type KTC
H04N 5/365 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
357Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
365appliqué au bruit à motif fixe, p.ex. non-uniformité de la réponse
H04N 5/374 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H01L 27/14612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
14612involving a transistor
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H04N 5/335
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
H04N 5/3577
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
3577for reducing electromagnetic interferences, e.g. EMI reduction, clocking noise
H04N 5/363
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
363applied to reset noise, e.g. KTC noise ; related to CMOS structures
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 鎗野 真 YARINO, Makoto; null (UsOnly)
  • 山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null (UsOnly)
  • 松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 鎗野 真 YARINO, Makoto; null
  • 山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null
  • 松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null
Mandataires
  • 新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
Données relatives à la priorité
2010-15729209.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé
(EN)
Provided is a solid-state imaging device for suppressing noise. A pixel (11) is provided with a reset transistor (117), a selection transistor (115), an amplifier transistor (113), and a photoelectric conversion unit (111), wherein: the photoelectric conversion unit (111) is provided with a photoelectric conversion film (45) for performing photoelectric conversion, a pixel electrode (46) formed on the surface of the photoelectric conversion film (45) on the side of a semiconductor substrate (31), and a transparent electrode (47) formed on the surface of the photoelectric conversion film (45) on the opposite side from the pixel electrode (46); and the amplitude of the column reset signal applied to the gate of the reset transistor (117) is at least smaller than (a) the maximum voltage applied to the drain of the amplifier transistor (113), (b) the maximum voltage applied to the gate of the selection transistor (115), (c) the source voltage applied to an inversion amplifier (23), or (d) the maximum voltage applied to the transparent electrode.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs destiné à supprimer le bruit. Chaque pixel (11) comporte un transistor de réinitialisation (117), un transistor de sélection (115), un transistor d'amplification (113) et une unité de conversion photoélectrique (111). Ladite unité de conversion photoélectrique (111) comprend un film de conversion photoélectrique (45), une électrode de pixel (46) formée sur la surface du film de conversion photoélectrique (45) du côté d'un substrat semi-conducteur (31), et une électrode transparente (47) formée sur la surface du film de conversion photoélectrique (45) du côté opposé à l'électrode de pixel (46). L'amplitude du signal de réinitialisation de colonne appliqué à la grille du transistor de réinitialisation (117) est au moins aussi faible que (a) la tension maximale appliquée au drain du transistor d'amplification (113), (b) la tension maximale appliquée à la grille du transistor de sélection (115), (c) la tension de source appliquée à un amplificateur d'inversion (23), ou (d) la tension maximale appliquée à l'électrode transparente.
(JA)
 本発明は、ノイズを抑制する固体撮像装置を提供することを目的とする。画素(11)は、リセットトランジスタ(117)、選択トランジスタ(115)、増幅トランジスタ(113)、および光電変換部(111)を有し、光電変換部(111)は、光電変換する光電変換膜(45)と、光電変換膜(45)の半導体基板(31)側の面に形成された画素電極(46)と、光電変換膜(45)の画素電極(46)と反対側の面に形成された透明電極(47)とを有し、リセットトランジスタ(117)のゲートに印加される行リセット信号の振幅は、(a)増幅トランジスタ(113)のドレインに印加される最大電圧、(b)選択トランジスタ(115)のゲートに印加される最大電圧、(c)反転増幅器(23)に印加される電源電圧、および(d)透明電極に印加される最大電圧の少なくとも1つよりも小さい。
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